这种自持式的过程称之为“streamer”,等离子区的扩展最终会使得Drain与Source电气短路,短路的发热会使Si融化,最终使MOSFETs结构被破坏,从而失效。 图4(2):入侵后的电场分布 由于失效机理是由碰撞电离过程导致的,在MOSFETs导通模式下,也就是说没有高强度电场模式下是不会发生的,所以在评估失效率时,导通模式不用被考虑。
A comparative design is presented for two transistor types: GaN-HEMTs and Si-SJ-MOSFETs. Theoretical and experimental results show that GaN-HEMTs allow higher switching frequencies and also give a higher total efficiency due to their lower parasitic output capacitance.Lukas Keuck...
这种自持式的过程称之为“streamer”,等离子区的扩展最终会使得Drain与Source电气短路,短路的发热会使Si融化,最终使MOSFETs结构被破坏,从而失效。 图4(2):入侵后的电场分布 由于失效机理是由碰撞电离过程导致的,在MOSFETs导通模式下,也就是说没有高强度电场模式下是不会发生的,所以在评估失效率时,导通模式不用被考虑。
这种自持式的过程称之为“streamer”,等离子区的扩展最终会使得Drain与Source电气短路,短路的发热会使Si融化,最终使MOSFETs结构被破坏,从而失效。 图四(b)入侵后的电场分布 由于失效机理是由碰撞电离过程导致的,在MOSFETs导通模式下,也就是说没有高强度电场模式下是不会发生的,所以在评估失效率时,导通模式不用被考虑。
由于失效机理是由碰撞电离过程导致的,在MOSFETs导通模式下,也就是说没有高强度电场模式下是不会发生的,所以在评估失效率时,导通模式不用被考虑。 二、FIT率 1. 定义 一个器件的FIT(failures in time)值是指10亿个器件在一定时间里运行失效器件的数量。比如1FIT/器件。公式如下: ...
采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。
Over 1000 V/30 mA operation GaN-on-Si MOSFETs fabricated on Si substrates We demonstrated the operation of GaN-on-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) for power electronics components. The interface s... Y Niiyama,Z Li,TP Chow,... - 《Solid State Electronics》 ...
GaN on Silicon wafers is a substrateworks great for high voltage Power & RF applications. Applications include light emitters, optical detectors, microwave communications.
Infineon introduces gate drivers that enhance the performance of its CoolGaN SG HEMTs and is compatible with other GaN HEMTs and Si MOSFETs.
Normally‐off AlGaN/GaN MOSHFETs with HfO2 gate oxide The maximum transconductance was 185 mS/mm, which was about 8 times larger than that of the GaN MOSFETs. The field effect mobility was 9001500 cm2/Vs... S Sugiura,S Kishimoto,T Mizutani,... - 《Physica Status Solidi》 被引量: 62发...