相比之下,基于eGaN FET的转换器的磁芯设计具最小漏电感及特意在高出75%开关频率下转换。这样,虽然轻负载效率较低,但在大约509%负载时,eGaN FET的原型不但具相等效率,并在转换器总损毵相似下,在满负载条件时所产生高出25%的功率。 图1 基于eGaN FET原型与基于商用MOSFET(D转换器)的半砖式供电设备转换器的效率...
有人谈到了1200V GaN FET——Transphorm于去年5月发布了其1200V蓝宝石基GaN FET的虚拟设计。除此之外,有关GaN提升功率谱的讨论大多停留在研发领域。NexGen Power Systems也在利用其鳍式JFET(Fin-JFET)技术研究1200V垂直GaN(GaN基GaN)晶体管[3]——这项技术的...
GaN器件设计与制造:GaN器件分为射频器件和电力电子器件,射频器件产品包括PA、LNA、开关器、MMIC等,面向基站卫星、雷达等市场;电力电子器件产品包括SBD、常关型FET、常开型FET、级联(Cascode)FET等产品,面向无线充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。 按工艺分,则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、Power FET电力...
随着应用领域的扩大，氮化镓晶体管和碳化硅MOSFET的销售额也将随之大幅度增长。图3是IHS Markit提供的这两...
2019年9月26 日– 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓 (GaN) 电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并...
所有这些功能都可通过芯片4个引脚控制,使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理,不需要额外的VCC引脚、纳微的650V GaNSafe目前提供TOLL和TOLT两种封装,RDS(ON)MAX范围从25到98mΩ,可应用于1kW 到22kW的大功率应用场景。 该电源的三相交错CCM TP-PFC由第三代快速碳化硅MOSFETs驱动,其采用了“沟槽辅助平面”...
GaN器件设计与制造:GaN器件分为射频器件和电力电子器件,射频器件产品包括PA、LNA、开关器、MMIC等,面向基站卫星、雷达等市场;电力电子器件产品包括SBD、常关型FET、常开型FET、级联(Cascode)FET等产品,面向无线充电、电源开关、包络跟踪、逆变器、变流器等市场。按工艺分,则分为HEMT、HBT射频工艺和SBD、Power FET电力...
GaN Power HEMT 器件自然是耗尽模式器件(或 d 模式:常开,需要负 Vgs 才能关闭)。对于大多数功率 FET 应用,增强模式(或 e 模式:常关,0V 应关闭器件)行为是必不可少的。为此,使用了两种不同的方法。一方面,可以使用 p 型 GaN 或 AlGaN 栅极来修改势垒高度,在该层下方创建一个耗尽区,从而创建一个常关器件...
所有这些功能都可通过芯片4个引脚控制,使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理,不需要额外的VCC引脚、纳微的650V GaNSafe目前提供TOLL和TOLT两种封装,RDS(ON)MAX范围从25到98mΩ,可应用于1kW 到22kW的大功率应用场景。 该电源的三相交错CCM TP-PFC由第三代快速碳化硅MOSFETs驱动,其采用了“沟槽辅助平面”...
2019年9月26 日– 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 即日起开始备货Texas Instruments (TI) LMG1210 200 V半桥MOSFET和GaN FET驱动器。LMG1210是TI性能出众的氮化镓(GaN)电源产品系列,与传统硅替代方案相比,拥有更高的效率与功率密度,以及更小的整体系统尺寸,并专门针对...