为了解决这些问题,罗姆Power Stage IC支持更宽的驱动电压范围(2.5V～30V),拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能,因此可以替换现有的Si MOSFET。与需要散热片的Si MOSFET方案相比,外围电路更简单,仅需一个外置器件,器件体积可减少约99%,功率损耗可降低约55%。此外,普通GaN产品耐压值是6V,而罗姆产品可以做到8V。 ...
GaN器件将功率应用的性能推到了一个更高的水平,不过HEMT只是类似MOSFET,但电流不会流过整个衬底或缓冲层,而是流过一个二维的电子气层。如果只是简单地接入传统Si MOSFET的驱动器,很容易造成GaN器件的绝缘层、势垒或其他结构性部分被击穿,导致GaN器件永久性损坏。因此,耗尽型 (dMode)、增强型 (eMode)、共源共栅型...
近日,罗姆又推出新产品EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。该产品可以替代现有的SiMOSFET,从而使器件体积减少99%,功率损耗降低55%,有助于减少服务器和AC适配器的体积以及损耗。 (图源:芯师爷) 罗姆半导体(上海)有限公司技术中心High Power Solution部门负责人周劲介绍,针对可持续发展的需求,GaN HEMT作为...
SiC晶圆的生长温度超过2700℃,生长速度至少比Si慢200倍,这就需要大量的能量。另一方面,GaN在很大程度上可以使用与Si半导体加工相同的设备,GaN外延晶圆可以在各自的衬底(通常是Si、SiC或蓝宝石)上生长,温度为1000至1200℃,不到SiC的一半。此外,SiC晶圆也比Si晶圆薄近50%(高达500μm),因此材料相当脆,容易开裂和碎裂...
GaN晶体管与Si MOSFETs的对比 与硅MOSFETs相比,eGaN FETs展现出不同的特性,这影响了它们与为后者设计的栅极驱动器的配合。 主要区别包括 栅极电压等级较低:eGaN FETs需要5V的栅极电压以开启,0V以关闭,最大栅极电压等级为6V。这要求栅极驱动器的电源设计相应地进行调整,以及驱动器或控制器的欠压锁定(UVLO)也应与...
SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很适合用于汽车电源电路。 在许多应用中,IGBT正在被SiC器件取代。SiC器件可在更高的频率下开关...
SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很适合用于汽车电源电路。 在许多应用中,IGBT正在被SiC器件取代。SiC器件可在更高的频率下开关...
图2 GaN&Si电容特性对比 从器件的电容上看到,SJ MOSFET的电容在50V内非线性特征明显,同时整体的电容值要比GaN器件大很多(结电容是GaN的3倍)。这是因为,二维电耦合型的SJ器件虽然比平面MOS拥有着更小的器件面积,但由于其依靠靠PN结的横向耗尽来实现抗耐压,因此PN结的接触面积要大很多,在器件D-S间电压较低时,PN...
SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很适合用于汽车电源电路。 在许多应用中,IGBT正在被SiC器件取代。SiC器件可在更高的频率下开关...
水原德健提到,与Si MOSFET相比,GaN HEMT的栅极处理很难,必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。罗姆结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势,开发出集栅极驱动器和GaN于一体的Power Stage IC。 在分析650V EcoGaN(GaN HEMT)Power Stage IC的优势时,水原德健指出,通过将IC用作Power Stage电路,可轻松安装GaN器件;支持...