在全桥和半桥拓扑等硬开关电路中,采用 IGBT 封装的封装是快速恢复晶体管或 MOSFET 体二极管。当相应的开关导通时,二极管有电流流过,二极管的恢复特性决定了Eon损耗。因此,选择具有快速体二极管恢复特性的 MOSFET 非常重要。不幸的是,MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比目前业界使用的分立二极管要慢。因此,对于硬...
虽然对于选择 IGBT 或 MOSFET 的问题并没有全面的解决方案,但比较 IGBT 和 MOSFET 在具体 SMPS 应用中的性能,仍然可以确定关键参数的范围。 MOSFET 和 IGBT 中的 V 传导损耗 除了IGBT 压降更长之外,IGBT 和功率 MOSFET 的导通特性非常相似。从基本的 IGBT 等效电路(见图 1)可以看出,PNP BJT 集电极基区的少数...
MOSFET器件成本低,价格便宜,而IGBT至今仍属于较高成本器件。 IGBT适合高功率交流应用,MOSFET适合低功率直流应用。 图:IGBT vs MOSFET结构图示 上述这些差别,在应用上MOSFET和IGBT各有侧重点。通常,MOSFET的额定电压约为600V,而IGBT的额定电压能够达到1400V。从额定电压角度看,IGBT主要用于更高电压的应用。从工作频率...
在全桥和半桥拓扑等硬开关电路中,采用 IGBT 封装的封装是快速恢复晶体管或 MOSFET 体二极管。当相应的开关导通时,二极管有电流流过,二极管的恢复特性决定了Eon损耗。因此,选择具有快速体二极管恢复特性的 MOSFET 非常重要。不幸的是,MOSFET的寄生二极管或体二极管的恢复特性比目前业界使用的分立二极管要慢。因此,对于硬...
一文解读mosfet与igbt的区别 的软恢复二极管可与更高速的SMPS器件相配合。后语:MOSFE和IGBT是没有本质区别的,人们常问的“是MOSFET好还是IGBT好”这个问题本身就是错误的。至于我们为何有时用MOSFET,有时又不用MOSFET而采用IGBT,不能简单的用好和坏来区分,来判定,需要用辩证的方法来考虑这个问题。 adcmvp 2019-...
IGBT可以处理任何瞬态电压和电流,但当发生瞬态电压时,MOSFET的运行会受到干扰。 MOSFET器件成本低,价格便宜,而IGBT至今仍属于较高成本器件。 IGBT适合高功率交流应用,MOSFET适合低功率直流应用。 图:IGBT vs MOSFET结构图示 上述这些差别,在应用上MOSFET和IGBT各有侧重点。通常,MOSFET的额定电压约为600V,而IGBT的额定电...
设备演进:从双极晶体管到MOSFET和IGBT 在20世纪70年代之前,双极晶体管是唯一的真正大功率晶体管。然而,它们具有缓慢的关断特性和热失控的问题,限制了它们在高功率应用中的应用。随着MOSFET的出现,它带来了很多优势,包括电压控制、快速开关和低导通损耗等。随后,在20世纪80年代,IGBT作为双极晶体管和MOSFET的交叉点出现,...
主流功率器件MOSFET VS IGBT:向更高频领域 VS 更高压领域 目前主流功率器件为MOSFET和IGBT,MOSFET开关频率高,更适用于高频中高压领域(100-1000KHz, 20-1200V),IGBT耐压很高,更适用于高压中低频领域(<100KHz, 600-6500V)。MOSFET具有开关速度快的优点,但高耐压下导通电阻会很高。IGBT作为MOSFET+BJT结构的复合型...
IGBT适合高功率交流应用,MOSFET适合低功率直流应用。 图:IGBT vs MOSFET结构图示 上述这些差别,在应用上MOSFET和IGBT各有侧重点。通常,MOSFET的额定电压约为600V,而IGBT的额定电压能够达到1400V。从额定电压角度看,IGBT主要用于更高电压的应用。从工作频率角度看,...
逆变电路:IGBT VS MOSFET 采用功率场效应管MOSFET构成的推挽式逆变电路比较简单,变压器的中性抽头接于电源 正极,MOSFET的一端接于电源负极,交替工作最后输出交流电力,但是带感性负载的能 力差,而且变压器的效率也较低,因此应用起来有一些条件限制。 采用绝缘栅双极晶体管IGBT构成的全桥逆变电路,其中Q1和Q2之间的相位...