另一方面,GaN在很大程度上可以使用与Si半导体加工相同的设备,GaN外延晶圆可以在各自的衬底(通常是Si、SiC或蓝宝石)上生长,温度为1000至1200℃,不到SiC的一半。此外,SiC晶圆也比Si晶圆薄近50%(高达500μm),因此材料相当脆,容易开裂和碎裂——这也是需要专用加工...
SiC晶圆的生长温度超过2700℃,生长速度至少比Si慢200倍,这就需要大量的能量。另一方面,GaN在很大程度上可以使用与Si半导体加工相同的设备,GaN外延晶圆可以在各自的衬底(通常是Si、SiC或蓝宝石)上生长,温度为1000至1200℃,不到SiC的一半。此外,SiC晶圆也比Si晶圆薄近50%(高达500μm),因此材料相当脆,容易开裂和碎裂...
此外,SiC器件的导通电阻比硅MOSFET低得多,因而在所有开关电源应用(SMPS设计)中的能效更高。 SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很...
此外,SiC器件的导通电阻比硅MOSFET低得多,因而在所有开关电源应用(SMPS设计)中的能效更高。 SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很...
实验结果显示,开关频率为50 k Hz和120 k Hz时,基于增强型Ga N MOSFET的逆变器比基于Si MOSFET的效率分别高1.47%和1.6%;40℃,50℃,60℃,70℃温度对比实验时,基于增强型GaN MOSFET的逆变器效率比基于Si MOSFET的分别高1.8%,1.9%,2.0%和2.1%,表明开关频率递增或工作温度越高的工况下,增强型GaN MOSFET高效...
03. GaN MOSFET vs. Si MOSFET关键指标解读(怪力萌妹谜底) 04. 高频高电压的应用,仿真何去何从? 05. 模型是关键,Keysight是如何做到这一点的? .老市场,新玩法 在交通运输、重工业、消费类电子以及电力传输等领域,功率器件已经应用了很多年。但随着对更高效率、更小体积、更低成本等的更高追求,最近几年SiC...
GaN MOSFET和Si MOSFET的一些参数差别 首先来看导通电阻,见下表 表1 绿色表格中的是GaN管子的导通电阻,下面是Si基MOS管的导通电阻。可能有工程师要有疑问了!不是说GaN管子的导通电阻会更低么?怎么从上面的表格中没有体现这一点,甚至GaN的导通电阻还略高一些?这是怎么回事?
SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很适合用于汽车电源电路。 在许多应用中,IGBT正在被SiC器件取代。SiC器件可在更高的频率下开关...
其次，该产品进一步降低了功耗。在导通损耗影响较小的情况下，相比Si MOSFET单体减少55%，相比普通产品，仍然可以做到减少约20%的程度。同时，产品进一步小型化。一般来说，普通产品含有9个相关元器件，而罗姆的新产品使得驱动方式进一步简化，外置Power Stage相关元器件只需1个。Power Stage IC目前有两款：BM3G007MUV...
2023年4月,ROHM开始量产650V耐压产品。近日,罗姆又推出新产品EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。该产品可以替代现有的SiMOSFET,从而使器件体积减少99%,功率损耗降低55%,有助于减少服务器和AC适配器的体积以及损耗。 (图源:芯师爷) 罗姆半导体(上海)有限公司技术中心High Power Solution部门负责人周劲...