此外,SiC器件的导通电阻比硅MOSFET低得多,因而在所有开关电源应用(SMPS设计)中的能效更高。 SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很...
此外,SiC器件的导通电阻比硅MOSFET低得多,因而在所有开关电源应用(SMPS设计)中的能效更高。 SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很...
此外,SiC器件的导通电阻比硅MOSFET低得多,因而在所有开关电源应用(SMPS设计)中的能效更高。 SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很...
GaN器件将功率应用的性能推到了一个更高的水平,不过HEMT只是类似MOSFET,但电流不会流过整个衬底或缓冲层,而是流过一个二维的电子气层。如果只是简单地接入传统Si MOSFET的驱动器,很容易造成GaN器件的绝缘层、势垒或其他结构性部分被击穿,导致GaN器件永久性损坏。因此,耗尽型 (dMode)、增强型 (eMode)、共源共栅型...
与传统的硅(Si)衬底相比,宽禁带材料本质上能够在更高的开关频率和更大的电场下工作。当半导体受热时,由于热激发载流子在高温下更为丰富,导致传导,其电阻往往会下降。更宽禁带的半导体需要更高的温度(更多的能量)来激发电子从价带跨越到导带。这将直接带来更强的功率处理能力和更高的器件效率。
图2 GaN&Si电容特性对比 从器件的电容上看到,SJ MOSFET的电容在50V内非线性特征明显,同时整体的电容值要比GaN器件大很多(结电容是GaN的3倍)。这是因为,二维电耦合型的SJ器件虽然比平面MOS拥有着更小的器件面积,但由于其依靠靠PN结的横向耗尽来实现抗耐压,因此PN结的接触面积要大很多,在器件D-S间电压较低时,PN...
功率器件的功率容量和工作频段优势,因材料和元件结构而异。其中,Si MOSFET的应用范围是中等频率、中等功率;IGBT因为拖尾现象较严重,大多应用在低频高功率范围;SiC相比IGBT,可以应用在频率更高的范围中。所有器件中,GaN的频率是最高的,功率容量中等,然而,与Si MOSF
2023年4月,ROHM开始量产650V耐压产品。近日,罗姆又推出新产品EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。该产品可以替代现有的SiMOSFET,从而使器件体积减少99%,功率损耗降低55%,有助于减少服务器和AC适配器的体积以及损耗。 (图源:芯师爷) 罗姆半导体(上海)有限公司技术中心High Power Solution部门负责人周劲...
此外,还增加了 650 V 和 900 V SI MOSFET,以及额定电压较高(900 V 和 1200 V)的 SiC 和 GaN 器件,以资比较。该表报告了以下参数: 材料、供应商、部件、正常关断结构类型(N-OFF 类型)、额定漏源电压 (VDS)、典型导通电阻 (RON)、漏极电流 (ID-max)、 总栅极电荷 (QG)、RON QG FOM、总输入电容 (...
水原德健提到,与Si MOSFET相比,GaN HEMT的栅极处理很难,必须与驱动栅极用的驱动器结合使用。罗姆结合所擅长的功率和模拟两种核心技术优势,开发出集栅极驱动器和GaN于一体的Power Stage IC。 在分析650V EcoGaN(GaN HEMT)Power Stage IC的优势时,水原德健指出,通过将IC用作Power Stage电路,可轻松安装GaN器件;支持...