此外,SiC器件的导通电阻比硅MOSFET低得多,因而在所有开关电源应用(SMPS设计)中的能效更高。 SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很...
此外,SiC器件的导通电阻比硅MOSFET低得多,因而在所有开关电源应用(SMPS设计)中的能效更高。 SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很...
此外,SiC器件的导通电阻比硅MOSFET低得多,因而在所有开关电源应用(SMPS设计)中的能效更高。 SiC器件需要18至20伏的门极电压驱动,导通具有低导通电阻的器件。标准的Si MOSFET只需要不到10伏的门极就能完全导通。此外,SiC器件需要一个-3至-5 V的门极驱动来切换到关断状态。SiC MOSFET在高压、高电流的能力使它们很...
除了性能优于MOSFET之外,GaN几乎不受太空辐射引起的降解。帮助达到这一特定转折点的关键冠军是VPT的首席执行官兼创始人Dan Sable。如今,在该应用中首次部署仅四年后,GaN晶体管就占据了MOSFET卫星市场的30%,并且随着传统设计过时或不经济,有望占据最后的70%。 为GaN提供第三个转折点的是快速充电器。其中最突出的是N...
“Cambridge GaN Devices(以下简称:CGD)致力于GaN晶体管和IC的设计、开发与商业化,以实现能效和紧凑性的突破性飞跃,我们的ICeGaN 650V H2系列(以下简称:H2系列)能够帮助系统方案实现更高的效率,整体效率表现比基于业界最佳的SiMOSFET还要高2%。通过产品性能创新,帮助CGD的客户应对像美国能源效率认证中DOE LevelVII级...
与传统的硅(Si)衬底相比,宽禁带材料本质上能够在更高的开关频率和更大的电场下工作。当半导体受热时,由于热激发载流子在高温下更为丰富,导致传导,其电阻往往会下降。更宽禁带的半导体需要更高的温度(更多的能量)来激发电子从价带跨越到导带。这将直接带来更强的功率处理能力和更高的器件效率。
图2 GaN&Si电容特性对比 从器件的电容上看到,SJ MOSFET的电容在50V内非线性特征明显,同时整体的电容值要比GaN器件大很多(结电容是GaN的3倍)。这是因为,二维电耦合型的SJ器件虽然比平面MOS拥有着更小的器件面积,但由于其依靠靠PN结的横向耗尽来实现抗耐压,因此PN结的接触面积要大很多,在器件D-S间电压较低时,PN...
碳化硅MOSFET的易驱动，高可靠等特性使其适合于高性能开关电源中。具体来说：对于这两种宽禁带功率半导体...
功率器件的功率容量和工作频段优势,因材料和元件结构而异。其中,Si MOSFET的应用范围是中等频率、中等功率;IGBT因为拖尾现象较严重,大多应用在低频高功率范围;SiC相比IGBT,可以应用在频率更高的范围中。所有器件中,GaN的频率是最高的,功率容量中等,然而,与Si MOSF
2023年4月,ROHM开始量产650V耐压产品。近日,罗姆又推出新产品EcoGaN™ Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。该产品可以替代现有的SiMOSFET,从而使器件体积减少99%,功率损耗降低55%,有助于减少服务器和AC适配器的体积以及损耗。 (图源:芯师爷) 罗姆半导体(上海)有限公司技术中心High Power Solution部门负责人周劲...