传统的Si MOSFET是平面型器件 这种器件,如果要达到比较高的耐压,通常需要增加漂移区的宽度同时降低掺杂的浓度,这样会导致导通电阻大幅增加。为了解决耐压和导通电阻的折中问题,英飞凌CoolMOS系列采用了super junction MOSFET(超结MOSFET)的结构, Super junction MOSFET的特点n-漂移区存在极性相反的N条和P条间隔堆积,这意...
SiC-MOSFET的导通电阻从Vgs约为20V开始变化(下降)并逐渐减小,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V左右驱动,以充分获得低导通电阻。换句话说,两者之间的区别之一是SiC-MOSFET的驱动电压要比Si-MOSFET高。因此,在替换Si-MOSFET时,需要考虑栅极驱动器电路的调整。 内...
同等能力下,SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小,因此栅极电容小,但内部栅极电阻增大。例如,1200V 80mΩ产品(S2301为裸芯片产品)的内部栅极电阻约为6.3Ω。 这不仅局限于SiC-MOSFET,MOSFET的开关时间依赖于外置栅极电阻和上面介绍的内部栅极电阻合在一起的综合栅极电阻值。SiC-MOSFET的内部栅极电阻比Si-MOSFET大,因...
同等能力下,SiC-MOSFET 的芯片尺寸比 Si元器件的小,因此栅极电容小,但内部栅极电阻增大。例如,1200V 80mΩ产品(S2301 为裸芯片产品)的内部栅极电阻约为 6.3Ω。 这不仅局限于 SiC-MOSFET,MOSFET 的开关时间依赖于外置栅极电阻和上面介绍的内部栅极电阻合在一起的综合栅极电阻值。SiC-MOSFET 的内部栅极电阻比 Si...
相比之下,SiC MOSFET可在更宽的范围内保持低导通电阻。此外,可以看到,与150℃时的SiMOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。
一、Si MOSFET和SiC MOSFET的导通区域 传统Si MOSFET在两个状态之间快速切换工作,切换电压就是VTH,当VGS小于VTH时,器件处于阻断状态,此时VDS是高阻,ID电流为0,当VGS远大于VGS后,MOSFET将处于饱和区域,RDS变为接近最小的导通阻抗,ID是最大的电流状态,...
SiC MOSFET相对于Si MOSFET和IGBT的优势-ROHM 具有电流隔离功能的新型晶体管栅极驱动器 ( BM6112 ) 非常适合应对驱动 SiC MOSFET 的独特挑战。它可以驱动高达 20A 的大电流,驱动高达 20V 的栅极电压,并且以小于 150ns 的最大 I/O 延迟完成所有操作。
综上，SIC MOSFET驱动也可以用自举电路驱动一个半桥，从而减少一路电源，以节省成本。但在实现自举电路的时候也会有一些问题需要注意，具体总结如下 1、由于上管在导通时需要通过自举电容放电，为了保证上端的正常开关，需要调整PWM，为自举电容预留充电时间 2、关于Dboot的选择，由于Cboot上为瞬间充电，需要考虑Dboot...
其中最显著的区别，莫过于SiC的临界电场强度是Si的10倍。这意味着，要达到同样的击穿电压，SiC器件所需要的漂移区厚度，要大大小于硅器件，从而SiC器件的漂移区电阻也会减小。这样的特性，自然也造就了Si MOSFET和SiC MOSFET的不同结构。传统的Si MOSFET是平面型器件 这种器件，如果要达到比较高的耐压，通常需要增加...
SIC MOSFET相对于传统的SI MOSFET有很多优势，主要包括：高温性能优异：SIC MOSFET的耐温性能非常好，可以在高达200°C的温度下正常工作，比传统的硅功率器件高出许多。高频响应能力强：SIC MOSFET的开关速度快，能够在高频率下稳定工作，适用于高速开关电路的应用场景。低导通电阻：SIC MOSFET的导通电阻非常低，可以...