2、SiC MOSFET应用本就多在高压高频大电流领域,电路中寄生参数产生尖峰毛刺,造成瞬时过压或开关损耗,此外沟槽SiC MOSFET不具备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力,需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路,更多的外部电路导致过压保护延迟加大,同时实际开关过程依然容易被击穿,引发器件可靠性问题;...
碳化硅MOSFET一般用于高压,大功率电源应用,这种电源由于系统要求需要做原副边的隔离,所以通过变压器从一边到另一边传递能量,而控制器一般放在其中一边,比如副边,驱动原边的碳化硅MOSFET的时候就需要通过隔离方式的驱动将副边控制器发出的驱动信号,传递到原边,去驱动它。 采用隔离方式,可以对原边的高压电路的地和副边控...
一般截止区或线性区是MOSFET的正常工作区,线性区的电阻即为MOSFEI的导通电阻。导通电阻是衡量SiC MOSFET性能的重要参数之一,目前研究的重点就是降低导通电阻。功率器件想要获得高的开关效率,器件本身的功率损耗要尽可能的减小。器件的导通电阻越小,在同样的额定电流下,器件的输出功率越高,器件的功率损耗越低。如下图,...
CoolSiC™ MOSFET具备一系列优势。这些优势包括碳化硅开关中的最小栅极电荷和器件电容、反并联二极管无反向恢复损耗、与温度无关的低开关损耗,以及无阈值通态特性等。 英飞凌独特的CoolSiC™ MOSFET可以带来额外的优势。通过最先进的沟槽设计实现出色的栅氧化层可靠性,一流的开关和导通...
英飞凌推出的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性及最佳可靠性。我们的产品系列采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。
当短路发生时,SiC MOSFET的漏源极电压迅速上升,高压二极管DDESAT反偏,内部电流源IDESAT通过DESAT引脚给外部电容CBLANK充电;当电容CBLANK两端电压超过内部比较器的阈值电压VT(DESAT),就会触发短路保护。 想了解纳芯微栅极驱动技术下的去饱和检测设计方法? 扫描下方二维码,免费下载完整应用笔记!
SiC MOSFET与传统的硅MOSFET类似，但有一些设计注意事项需要考虑。以下是SiC MOSFET的一些关键优势：1. 高压击穿：碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍，因此可以制造更小、电压更高的SiC MOSFET。这使得在使用更薄的漂移层的同时实现高击穿电压成为可能。2. 电流密度：SiC MOSFET提供比硅MOSFET高得多的电流密度，这对于高...
学术界中围绕SiC MOSFET及其相关应用的研究已经持续了几十年之久,但工业界固有的强大惯性使得SiC MOSFET一直到最近两三年才真正算是在电动汽车、新能源等行业得到广泛应用, 这其中的一个转折点是著名美国汽车制造商Tesla在2017年发布的量产车型Model 3的主驱中率先采用了全SiC MOSFET器件,除却其技术上的影响力,这个...
一文了解SiC MOS的应用 作为第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅MOSFET具有更高的开关频率和使用温度,能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸,提高系统电力转换效率,并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中,应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可以实现更低的开关和导通损耗,同时具有更高的阻断...