sic mosfet 工艺流程 一、衬底准备 首先,需要准备一片高质量的单晶硅衬底。衬底的表面应光滑、无缺陷,并经过适当的清洗,以去除任何杂质和污染物。 二、氧化 在准备好的衬底上,进行氧化处理,形成一层二氧化硅(SiO2)薄膜。这层薄膜将作为SIC MOSFET的绝缘层。 三、磷扩散 在二氧化硅薄膜上,进行磷(P)元素的扩散,...
在沟槽MOSFET的制造工艺步骤中,p基的注入步骤和沟槽的形成步骤可以互换,即先进行p基注入,然后制作沟槽结构,或者先制作沟槽,然后再进行p基注入。上图为首先进行沟槽的制造流程。 工艺步骤如下: 首先,在n+衬底上外延生长n-漂移区;然后,在通过使用Al或N的注入物对结构进行开槽后,开槽的栅极区被用来制作p基区。随后...
如图三A中的结构为了尽可能的减小导通电阻,需要调整开关单元的间距,pitch值和Wg也就是栅极的宽度有一定的关系,pitch值变小,Wg也相应变小,这个对于栅极的可靠性是有一定好处的,在SiC MOSFET里,栅极氧化层(Gate Oxide)非常的薄,小于100纳米,因此在SiC的生产工艺中使用了干式蚀刻的方法来控制加工的精度。 根据图三A...
然后将提取的寄生效应和SiCMOSFET芯片的模型合并到Saber仿真中。SiC MOSFET模型是基于物理的模型,可用于预测器件的开关性能。在600V直流总线电压和150A负载电流(每个芯片37.5A)下模拟的开通和关断波形如图11所示。 模拟中使用的栅极电压为-5/20V,外接门极电阻为5Ω。 图11、SiC-MOSFET的模拟开通和关断的波形。从上...
因此,新退火工艺避免使用一氧化氮,而采用在高温氮气氛围中热处理来提高界面质量。最终的评估结果是,Process A可以将界面缺陷密度降低到传统工艺的十分之一,而Process B可以将界面缺陷密度降低到传统工艺的五分之一。 考虑到界面缺陷的大幅降低,以600V或1200V的SiC MOSFET为例,其导通电阻可降低25~35%。换句话说,...
目的:形成MOSFET的关键绝缘层。 7.Deposition of the gate contact based on Poly-Si (500 nm) for 4H-SiC MOSFET(沉积多晶硅作为栅接触材料(500纳米)) 目的:连接栅极和硅基底,控制通道的导电性。 8.Dry etching of the gate contact structure(栅接触结构的干法刻蚀) 目的:通过干法刻蚀技术精确定义栅接触结构...
压接SiCMOSFET的工艺流程如图7所示,工艺步骤简述如下: 第1步:在上基板上焊接顶板 第2步:将上基板和中介层主体插入外壳,将定位销插入定位孔 第3步:将绒球键插入中介层主体 第4步:将SiCMOSFET裸片安装在底板上 第5步:将底板插入外壳,使定位销插入中介层上的定位孔底板 ...
以结构最简单的横向、平面型MOSFET为例,芯片制造的主要步骤包括: 图形化氧化膜:清洗晶圆,制作一层氧化硅(SiO2)薄膜,涂布光刻胶,经过匀胶、曝光、显影等步骤形成光刻胶图形,最后通过刻蚀工艺将图形转移到氧化膜上。 离子注入:将做好掩膜的碳化硅晶圆放入离子注入机,注入铝(Al)离子以形成p型掺杂区,并退火以激活...
2、导电型碳化硅衬底主要应用于制造肖特基二极管、MOSFET、IGBT等功率器件。 三、碳化硅(Sic)单晶衬底的生产流程 将通过升华法制备的SiC单晶从坩埚中取出,经过多个加工工艺制成晶圆。下图展示了晶圆制造的大致工艺流程。SiC单晶(也称为SiC boule),首先确认其晶体方向,然后进行外圆磨削,加工成圆柱形晶体(有时称为SiC pu...