sic mosfet 工艺流程 一、衬底准备 首先,需要准备一片高质量的单晶硅衬底。衬底的表面应光滑、无缺陷,并经过适当的清洗,以去除任何杂质和污染物。 二、氧化 在准备好的衬底上,进行氧化处理,形成一层二氧化硅(SiO2)薄膜。这层薄膜将作为SIC MOSFET的绝缘层。 三、磷扩散 在二氧化硅薄膜上,进行磷(P)元素的扩散,...
SKiN 结构如下图表所示,该模块结构也是一种无引线键合的结构,它采用了双层柔软的印刷线路板同时用于连接 MOSFET和用作电流通路,赛米控(SEMIKRON)公司采用该种结构开发的1200V/400A(8个50A碳化硅MOSFET 芯片并联)半桥功率模块的寄生电感小于1.4nH。 图表14 | 碳化硅功率模块分解图 (2.3)赛米控平面互连工艺(SiPLIT) 赛...
然后将提取的寄生效应和SiCMOSFET芯片的模型合并到Saber仿真中。SiC MOSFET模型是基于物理的模型,可用于预测器件的开关性能。在600V直流总线电压和150A负载电流(每个芯片37.5A)下模拟的开通和关断波形如图11所示。 模拟中使用的栅极电压为-5/20V,外接门极电阻为5Ω。 图11、SiC-MOSFET的模拟开通和关断的波形。从上...
如图三A中的结构为了尽可能的减小导通电阻,需要调整开关单元的间距,pitch值和Wg也就是栅极的宽度有一定的关系,pitch值变小,Wg也相应变小,这个对于栅极的可靠性是有一定好处的,在SiC MOSFET里,栅极氧化层(Gate Oxide)非常的薄,小于100纳米,因此在SiC的生产工艺中使用了干式蚀刻的方法来控制加工的精度。 根据图三A...
^1.沟槽型SiCMOSFET工艺流程 在提高 SiC 功率器件性能方面发挥重要作用的最重要步骤之一是器件制造工艺流程。SiC功率器件在用作n沟道而不是p沟道时往往表现出更好的性能;为了获得更高的性能,该器件需要在低电阻率的 p 型衬底上外延生长。 然而,目前市场上商用p型4H-SiC衬底具有相对较高的电阻率(约2.5Ω-cm),比...
7.Deposition of the gate contact based on Poly-Si (500 nm) for 4H-SiC MOSFET(沉积多晶硅作为栅接触材料(500纳米)) 目的:连接栅极和硅基底,控制通道的导电性。 8.Dry etching of the gate contact structure(栅接触结构的干法刻蚀) 目的:通过干法刻蚀技术精确定义栅接触结构,确保栅极与硅基底的接触面积和位...
E.工艺流程 压接SiCMOSFET的工艺流程如图7所示,工艺步骤简述如下: 第1步:在上基板上焊接顶板 第2步:将上基板和中介层主体插入外壳,将定位销插入定位孔 第3步:将绒球键插入中介层主体 第4步:将SiCMOSFET裸片安装在底板上 第5步:将底板插入外壳,使定位销插入中介层上的定位孔底板 ...
日本京都大学木本教授的科研团队,不仅提出了关于高质量栅氧化层的制作工艺,而且发现在制造沟槽型MOSFET时,选择与硅面(0001)垂直的A面或M面上形成栅氧化层,与传统的硅面成膜的工艺相比,沟道迁移率可以提高约6～7倍。 ▲沟槽型MOSFET新的垂直晶面选择 ▲不同晶面成膜后粗糙度对比 ...
双面散热SiC MOSFET模块的封装材料应具备优良的导热性能、机械强度和电气绝缘性能。常用的封装材料包括陶瓷、金属基板等。 2.封装工艺流程 双面散热SiC MOSFET模块的封装工艺流程包括基板制备、器件安装、线路连接、散热片安装等步骤。在每个步骤中,都需要严格控制工艺参数,以保证模块的性能和可靠性。 3.封装测试与验证 ...