体积,降低制造成本.利用PSpice仿真软件测试SiC MOSFET和Si IGBT的静态特性,设计了SiC MOSFET的驱动电路,利用双脉冲电路测试SiC MOSFET的动态特性.分析SiC MOSFET在Boost电路中的应用,利用单片机STM32F407ZG实现双脉冲以及PWM信号,最后搭建实验电路.实验结果表明,SiC MOSFET的开关响应速度快,导通电阻小,开关损耗小,电路...
SiC MOSFET应用于智能断路器，可以将这些功能集中在一个单元中，大大缩小系统体积。
所以在瞬间施加的电压下，电流不会瞬间增加到非常高的水平，所以SiC MOSFET上下管承受分压。
因此,这里以升压变换电路为载体,对SiC MOSFET在实际应用中所面临的两大主要问题(即栅极电阻对开关性能的影响及频率对功率传输效率的影响),进行理论分析和实验验证,以此得出应用SiC MOSFET进行系统设计时的一些注意事项。 2 Boost电路的基本原理 Boost变换电路通过对输入直流电压进行斩波,从而达到升压变换的目的,其基本电路...
第四种模式:Boost BA 该电路的第四种模式提供作为升压的操作,即作为其输出电压高于输入电压的转换器。该电路也称为“升压”。运行时,电压发生器必须连接在 B 侧,负载连接在 A 侧。负载的效率取决于所使用的 MOSFET。它们的配置如下: • SW1:关闭
BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合光伏储能BUCK-BOOST中。BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A（典型值），采用SOW-18（宽体）封装， 高达5000Vrms的隔离电压，适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。功能框图 SiC MOSFET BTD25350使用于双向DC/DC...
电感器开始刺耳的啸叫起来，控制到驱动正常工作，观测波形，输入电压10V，输出电压43.5V，实现了Boost电路...
(54)发明名称同步工作模式下SiC MOSFET Boost变流器断续工作死区设置方法(57)摘要本发明公开了一种同步工作模式下SiC MOSFET Boost变流器断续工作死区设置方法,包括:获取变流器的实际占空比D、输入侧电压V i 以及输出侧的电压V o ,将主开关管M 1 开通前的死区时间设置为T ahead ;获取SiC MOSFET器件及其驱动电路的...
在级联H桥拓扑结构中,ACDC变换器需要实现PFC功能,两电平的全桥拓扑、Buck/boost电路以及整流桥都比较常见,而母线电压较高时常采用三电平NPC。目前英飞凌有2kV的SiCMOSFET产品,也可以在高母线电压的情况下使用两电平结构,简化电路拓扑和控制,如图3所示。 a.I型三电平ACDC变换器拓扑 ...
PFC和Boost转换器中的SiC二极管 在PFC电路和升压转换器中广泛使用SiC二极管,因为不存在存储的电荷会导致FET中的E(ON)损耗大大降低,无论是在400V总线电压下使用650V超结MOSFET,还是在600V-1500V总线电压下使用快速IGBT。 实际上,使用SiC JBS二极管的优势随电压升高而增加。即使不使用SiC FET作为主要开关器件,这些二极...