T/CASAS/TR 002-2023《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》首先介绍了SiC MOSFET功率器件发展趋势以及可靠性评价遇到的挑战,总体上,国际上多家企业已经实现SiC MOSFET 器件的商业化,并已逐步推出沟槽型SiC MOSFET 器件。而国内的SiC MOSFET 器件基本采用平面栅MOSFET 结构,研发进度相对落后,工艺技术的不...
CASA:2023年SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告(136页).pdf,点击即可下载。包含CASA,SiCMOSFET功率器件应用,iCMOSFET功率器件可靠性评价,iCMOSFET功率器件技术体系报告的报告内容,文档格式为PDF,大小12MB,页数136页,字数约93412字,欢迎会员下载
T/CASAS/TR 002—202X《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》包含以下内容:a、SiC MOSFET功率器件发展趋势;b、SiC MOSFET芯片与封装中面临的可靠性问题包括衬底/外延、芯片工艺、封装工艺可靠性问题;c、SiC MOSFET开关状态可靠性问题包括动态栅极偏置、短路应力、雪崩、浪涌、辐照等可靠性问题;d、SiC MOSF...
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T/CASAS/TR 002—202X《SiC MOSFET功率器件的应用可靠性评价技术体系报告》包含以下内容:a、SiC MOSFET功率器件发展趋势;b、SiC MOSFET芯片与封装中面临的可靠性问题包括衬底/外延、芯片工艺、封装工艺可靠性问题;c、SiC MOSFET开关状态可靠性问题包括动态栅极偏置、短路应力、雪崩、浪涌、辐照等可靠性问题;d、SiC MOSF...
2022年11月,上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101),该产品为TO247-4封装,最大电流(Ids)可达111A。 这款SiC MOSFET是专为汽车电子而设计的高可靠性、高品质和高性能器件,具有高耐压、大电流、低导通电阻等特点,最大电流(Ids)为111A@25℃,工作温度范围是-...
核心提示:西安电子科技大学微电子学院教授张艺蒙分享了“SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究”主题报告。 近日,由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、国家半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)联合主办,北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司与半导体产业网共同承办的第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体...
SiC MOSFET FIT率和栅极氧化物可靠性的关系 SiC MOS器件的栅极氧化物可靠性的挑战是,在某些工业应用给定的工作条件下,保证最大故障率低于1 FIT,这与今天的IGBT故障率相当。除了性能之外,可靠性和坚固性是SiC MOSFET讨论最多 jf_93760696 2022-07-12 16:18:49 ...
图1:SiC MOSFET的鲁棒性和制造稳定性(右)必须与性能参数(左)相平衡 元件在其目标应用的工作条件下的可靠性是最重要的验收标准之一。与已有的硅(Si)器件的主要区别是:SiC元件在更强的内部电场下工作。因此,设计者应该非常谨慎地分析相关机制。硅和碳化硅器件的共同点是,元件的总电阻是由从漏极和源极的一系列电阻...
迎接SiC时代的应用技术挑战 GaN基谐振变换器高频磁技术 碳化硅功率模块封装测试技术 碳化硅在中压配电网中的应用 碳化硅驱动电路的实用设计技术 宽禁带器件推进电力电子技术变革 联合动力驱动器产品IGBT关键技术 宽禁带器件功率模块的封装与热管理 高功率高可靠性功率半导体器件技术 ...