SiC MOSFET的功率循环试验是使器件重复承受通电升温和关断降温循环,以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界面退化。器件能否能承受规定应力条件下的功率循环次数是评估器件实际应用可靠性的重要手段。 由于SiO2与SiC界面缺陷的俘获和释放机制,传统的Si MOSFET的功率循环试验方法会由于SiC MOSFET器件的阈值电压V_GS(th...
T/CASAS 007-2020 适用范围 随着电动汽车行业的迅猛发展,对驱动系统的小型化和轻量化提出了更高的要求。基于SiC的解决方案使电动汽车驱动系统效率更高、重量更轻及结构更加紧凑,近几年已经逐渐在电动汽车行业得到应用。然而,目前国内外尚无针对SiC功率模块的规范和标准,缺少电动汽车行业SiC MOSFET模块的统一指导性文件...
联合单位:工业和信息化部电子第五研究所、苏州汇川联合动力系统股份有限公司、智新半导体有限公司、北京华峰测控技术股份有限公司、芯联集成电路制造股份有限公司、复旦大学宁波研究院 2、T/CASAS 038—20XX 《SiC MOSFET非钳位电感开关(UIS)测试方法》、T/CASAS 039—20XX 《SiC MOSFET单管功率器件短路可靠性测试方法...
MS15N100HGT1 麦思浦 1000V 15A 高压MOSFET 功率半导体 电子元器件 国产 MS15N100HGT1 9605 麦思浦 -- ￥7.0000元50~-- 个 深圳市麦思浦半导体有限公司 2年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 升压恒压驱动芯片FP5207 大电流大功率 内置mos ...
特别是在快速开关能力和抗宇宙射线性能方面,SiC T-MOSFET等宽带隙功率半导体技术优于现有的1200-V Si-IGBT技术。尽管碳化硅(SiC)器件价格高昂,并且所需的栅极驱动器原理更复杂,比如利用有源米勒钳位抑制寄生元件开通,但是该类器件的损耗大幅降低。因此,对于快速开关器件来说,SiC T-MOSFET如果与具有成本效益的硅基器件...
特别是在快速开关能力和抗宇宙射线性能方面,SiC T-MOSFET等宽带隙功率半导体技术优于现有的1200-V Si-IGBT技术。尽管碳化硅(SiC)器件价格高昂,并且所需的栅极驱动器原理更复杂,比如利用有源米勒钳位抑制寄生元件开通,但是该类器件的损耗大幅降低。因此,对于快速开关器件来说,SiC T-MOSFET如果与具有成本效益的硅基器件...
碳化硅MOSFET分立器件-coolsic mosfet-英飞凌(infineon)官网 TLF11251LD| OPTIREG™ PMIC(汽车) TLF35584QVVS1| OPTIREG™ PMIC(汽车) IPW65R035CFD7A| 汽车MOSFET IAUC41N06S5L100| 汽车MOSFET AIMZA75R016M1H| 碳化硅MOSFET分立器件-coolsic mosfet-英飞凌(infineon)官网 ...
SiC MOSFET(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)以其优越特性受到国内外学者的广泛关注,采用SiC器件的转换器可以有更高的开关频率、适应高温工作,实现高功率密度。在一些应用场合可以显著提高电能变换装置的性能。为使SiC MOSFET在实际应用中有更好的依据和可靠性,为电力电子设计者提供应用...
最新的1200-V SiC T-MOSFET与IGBT技术优化组合,实现成本效益.市场上将推出一款采用全集成ANPC拓扑结构的新型功率模块,适用于高度紧凑型,高效率1500-V^网逆变器.新开发的Easy3B功率模块在48kHz频率条件下,可以实现输出功率达到200kW以上.此外,相应的P-Q图几乎呈圆形.这意味着,该功率模块适用于储能系统等新兴应用....
尽管IGBT和二极管等硅基器件得到广泛应用,但它们并未针对光伏应用进行优化。特别是在快速开关能力和抗宇宙射线性能方面,SiC T-MOSFET等宽带隙功率半导体技术优于现有的1200-V Si-IGBT技术。尽管碳化硅(SiC)器件价格高昂,并且所需的栅极驱动器原理更复杂,比如利用有源米勒钳位抑制寄生元件开通,但是该类器件的损耗...