4H-SiC功率MOSFET器件所面临的静态和动态可靠性问题展开了理论和实验研究,主要的研究内容及创新成果如下:1)对SiC MOS结构器件的可靠性表征方法展开研究.针对4H-SiC/SiO_2界面附近存在的界面陷阱,近界面陷阱和氧化层陷阱,分别提出了相应的测试表征方法.建立了F-N隧穿模型用于分析栅介质漏电的内在机理,为栅介质可靠性...