sic 碳化硅mosfet-英飞凌(infineon)官网 - Infineon Technologieswww.infineon.com/cms/cn/product/powe...
7、4H-SiC最高工作温度750℃,但4H-SiC MOSFET最高工作温度仅200℃,主要限制因素为高温下栅氧发生退化。 文中对提升迁移率的各种方法进行了对比,见下表。 可知: 1、Si MOSFET的沟道迁移率约500cm2/Vs(约为体迁移率的50%),而4H-SiC MOSFET(NO退火)沟道迁移率仅35cm2./Vs(约为体迁移率的3%),是前者的7%...
本申请涉及具有集成二极管的碳化硅MOSFET器件及其制造方法.集成MOSFET器件形成在具有第一导电类型且为碳化硅的本体中.该本体容纳:具有第二导电类型的第一本体区域;与所述第一本体区域相邻的JFET区域;具有第一导电类型的第一源极区域,延伸到第一本体区域的内部中;具有第二导电类型的注入结构,延伸到JFET区域的内部中.隔离...
美国纽约州立大学理工学院在4H-SiCMOSFET性能方面创下了新的纪录。他们设计了一种以源极为中心的器件,其栅漏极间距较小为25nm,沟道长度为30nm,但仍然可以实现合理的450V击穿电压。这一创新性设计在4H-SiC功率UMOSFET的设计与关键技术研究领域具有重要...
的影响机理介质材料对4H-SiCMOSFET电学特性 的影响总结 2 2020/8/6 引言 SiC功率MOSFET具有功率密度大，能有效降低功率损耗，减小系统成本，在逆变、输电、大功率、高温领域具有广阔的应用前景；在SiC上利用普通热氧化方法制备SiO2的工艺引入很高的界面态密度，易引起表面粗糙散射与界面陷阱效应，导致器件可靠性降低：...
MOSFET devices are one kind of the core devices of modern microelectronics, with applications ranging from highly integrated CMOS chips to high power devices. As a third-generation wide bandgap semiconductor material, SiC has excellent electrical properties such as wide bandgap, high breakdown electric...
从而减少漏电流。对不同厚度SiO2的HfAlO/SiO2/4H-SiC结构特性研究表明其主要漏电机制肖特基发射和F-P发射，其作用的电场范围与SiO2厚度密切相关，SiO2厚度越薄，其阻碍电子隧穿的能力越差。最后，提出了一种新型高K/4H-SiC MOSFET模型,采用深刻蚀U槽栅技术，提高了击穿电压减小导通电阻。
摘要：为了研宄4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（M0SFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素，通 过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的N O和/或队气氛中退火，测试了其输出和转移曲线，提取了有效迁移率和场效应迁移率，...
导电型SiC衬底经过同质外延生长、器件制造可制成SiC二极管、MOSFET等功率器件,应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域;半绝缘型SiC衬底经过氮化镓外延、器件制造可制成HEMT等微波射频器件,主要应用于5G通讯、卫星、雷达等领域。在半导体产业链中,晶圆制造的基础在衬底,衬底是所有半导体芯片的底层...