P沟道MOSFET的沟道迁移率与阈值电压分别为12.5cm2/Vs和-11V。n沟道MOSFET的沟道迁移率与阈值电压分别为8.2cm2/Vs和5V。同时从图中可以发现,即使有BC结构的n沟道MOSFET,他的阈值电压也相对较大,是否是由于该结构会改变其电气特性呢。 本文同时还进行了MOSFET器件与温度变化的研究,如下图所示沟道迁移率在Vg=15V和V...
根据电阻率不同,4H-SiC衬底可分为导电型和半绝缘型。半绝缘型SiC衬底电阻率大于10Q-cm,主要应用于制作GaN微波射频器件, 导电型SiC衬底电阻率小于30mQ.cm,主要用于制造MOSFET和IGBT等功率半导体器件。根据掺杂元素…
4H-SiC MOSFET中界面碳团簇的形成和迁移率退化机理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs张召富武汉大学工业科学研究院研究员ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University 展开更多 ...
这些结果表明,在没有外延层的半绝缘衬底上制作的4H-SiC LDIMOSFET是功率集成电路的一个有前途的候选器件。
6.研究了基于4H-SiC MOSFET的共源级单管放大器和基础逻辑门在高温下的性能变化与器件高温特性之间的关联.高温下,NMOS的迁移率增大,增加了器件的跨导,进而增加了放大器的单位增益带宽和直流增益.并且,在高温下,NMOS和PMOS的阈值电压绝对值|Vth|降低,迁移率的增大以及源漏接触电阻的减小加快了逻辑门输出波形的下降与...
美国纽约州立大学理工学院在4H-SiCMOSFET性能方面创下了新的纪录。他们设计了一种以源极为中心的器件,其栅漏极间距较小为25nm,沟道长度为30nm,但仍然可以实现合理的450V击穿电压。这一创新性设计在4H-SiC功率UMOSFET的设计与关键技术研究领域具有重要...
摘要：为了研宄4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（M0SFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素，通 过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的N O和/或队气氛中退火，测试了其输出和转移曲线，提取了有效迁移率和场效应迁移率，...
4H-SiC UMOSFET是一种用于功率电子应用的重要半导体器件,由于其高热稳定性、高电场饱和漂移速度以及优异的耐高温特性,被广泛应用于电源、电动车辆、太阳能逆变器等领域。然而,在实际运行中,UMOSFET可能会遭受单粒子烧毁,从而影响器件性能和寿命。 2.单粒子烧毁机制 单粒子烧毁是指在器件中,由于高能电子或离子的撞击,...
随着电力电子系统中对高效、高功率器件需求的日益增加,SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键元件,因其优异的电学性能而备受研究关注。然而,在SiC/SiO2界面附近的界面陷阱、近界面氧化物陷阱以及氧化物层中的缺陷和可移动电荷等问题的困扰下,SiC MOSFET的稳定性与可靠性成为制约其广泛应用的重要因素。