美国纽约州立大学理工学院在4H-SiCMOSFET性能方面创下了新的纪录。他们设计了一种以源极为中心的器件,其栅漏极间距较小为25nm,沟道长度为30nm,但仍然可以实现合理的450V击穿电压。这一创新性设计在4H-SiC功率UMOSFET的设计与关键技术研究领域具有重要...
因 此 ，相 比 槽 栅 型 SiC MOSFET，平 面 型 SiC MOSFET 在 市 场 上 的 应 用 更 为 ...
P沟道MOSFET的沟道迁移率与阈值电压分别为12.5cm2/Vs和-11V。n沟道MOSFET的沟道迁移率与阈值电压分别为8.2cm2/Vs和5V。同时从图中可以发现,即使有BC结构的n沟道MOSFET,他的阈值电压也相对较大,是否是由于该结构会改变其电气特性呢。 本文同时还进行了MOSFET器件与温度变化的研究,如下图所示沟道迁移率在Vg=15V和V...
RF MOSFET隨著無線網路科技的日新月異,射頻功率放大器已經被不斷的研究與改進數十年.但是傳統矽製程橫向射頻高功率金氧半場效電晶體因為崩潰電壓過低無法提供較高的功率密度,所以寬能帶半導體材料便成了應用於射頻元件的新選擇,碳化矽因為材料優勢例如寬能帶,高崩潰電場,高飽和電子速度及高熱傳導係數因此非常適合用在...
摘要:本文以4H-SiC隐埋沟道MOSFET为研究对象,对其理论和实验研究进行了综述。首先介绍了4H-SiC材料的特点以及其在功率电子器件中的应用前景。随后,详细阐述了隐埋沟道MOSFET的工作原理和特点,并对其主要的性能参数进行了介绍。然后,分析了4H-SiC隐埋沟道MOSFET的结构和制备工艺,包括沟道氮掺杂和gate控制氧化层的生长。
随着电力电子系统中对高效、高功率器件需求的日益增加,SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键元件,因其优异的电学性能而备受研究关注。然而,在SiC/SiO2界面附近的界面陷阱、近界面氧化物陷阱以及氧化物层中的缺陷和可移动电荷等问题的困扰下,SiC MOSFET的稳定性与可靠性成为制约其广泛应用的重要因素。
4H-SiC 功率 MOSFET 可靠性研究进展 随着功率电子器件技术的不断发展,4H-SiC 功率 MOSFET 在高温、高电压、高功率应用领域具有广泛的应用前景。然而,其可靠性是制约其应用的一个主要问题。本文将综述近年来国内外关于 4H-SiC 功率MOSFET 可靠性研究的进展情况,并分析存在的问题和今后的研究方向。 1. 4H-SiC 功率...
4H-SiC MOSFET性能新纪录! 美国纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)在4H-碳化硅(SiC)横向金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的性能创下了新的纪录。0.3μm沟道、2.5μm栅漏间距实现了7.7mΩ-cm2导通电阻和450V击穿电压。研究成果发表在IEEE Transactions OnElectron Devices。
研究目的：本研究的目的是通过建立4H-SiC埋沟MOSFET的击穿特性模型，揭示其击穿机理，为优化器件设计和制造工艺提供理论依据。研究内容：本研究将围绕以下三个方面展开 1.建立4H-SiC埋沟MOSFET的击穿特性模型；2.模拟不同工艺参数对击穿特性的影响；3.优化器件设计和制造工艺，提高器件的击穿性能。研究方法与技术路线 ...
4H-SiC MOSFET中界面碳团簇的形成和迁移率退化机理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs张召富武汉大学工业科学研究院研究员ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University 展开更多 ...