电子科技大学UNIVERSITYOFELECTRONICSCIENCEANDTECHNOLOGYOFCHINA专业学位硕士学位论文MASTERTHESISFORPROFESSIONALDEGREE论文题目4H-SiCMOSFET关键工艺开发与器件制作专业学位类别工程硕士学号01303015作者姓名唐亚超指导教师邓小川副教授万方数据
0/0 收藏人数: 2 评论次数: 0 文档热度: 文档分类: 待分类 系统标签: umosfet关键工艺sic器件制备功率 4H-SiC功率UMOSFET关键工艺研究及器件制备 君,已阅读到文档的结尾了呢~~ 立即下载相似精选,再来一篇 jiangxiebu1951 分享于2014-03-30 07:15
本发明公开了一种4HSiC MOSFET功率器件及其制造方法,该功率器件包括:源极(1),SiO层间介质(2),栅极(3),栅氧化层(4),P+接触区(5),N+源区(6),P阱(7),额外注入的P型区(8),N型外延层(9),N外延层(10),缓冲层(11),N+衬底(12)和漏极(13).本发明提出的4HSiC MOSFET功率器件采用分离栅结构,该结构...
摘要:本文以4H-SiC隐埋沟道MOSFET为研究对象,对其理论和实验研究进行了综述。首先介绍了4H-SiC材料的特点以及其在功率电子器件中的应用前景。随后,详细阐述了隐埋沟道MOSFET的工作原理和特点,并对其主要的性能参数进行了介绍。然后,分析了4H-SiC隐埋沟道MOSFET的结构和制备工艺,包括沟道氮掺杂和gate控制氧化层的生长。
一、 4H-SiC功率UMOSFET的重要性 4H-SiC功率UMOSFETs是一种重要的功率半导体器件,其在电力电子、电动汽车、太阳能等领域有着广泛的应用。该器件的工作原理是基于栅极施加的电场在绝缘层中形成反型层,从而控制漏极和源极之间的电流。材料和工艺对4H-SiC功率UMOSFET性能的影响很大,例如,通过选择合适的材料和工艺,可以...
模拟结果表明,所设计的功率超结MOSFET具有较高的开关速度、较低的漏电流、较小的电阻和电容,并达到了预期的击穿电压。本研究成果对于4H-SiC功率超结MOSFET的进一步制备和应用具有重要的理论与实际意义。 关键词:4H-SiC; 功率超结MOSFET; 设计; 模拟; 电学性能 1. 引言 功率器件在现代电力电子系统中占据着至关...
大电流(10安)和高电压(600伏)4H-SiC横向MOSFETs成功地在6英寸,N+衬底上制备和演示。得出的结论是,沟道设计和区域温度对确定正向特性至关重要,布局方法和RESURF结构对确定横向MOSFETs的阻挡特性至关重要。根据应用,可以通过考虑导通电阻和击穿电压之间的权衡来调整横向MOSFETs,以增强正向或阻断特性。关键的设计和工艺考虑...
4H-SiC 功率 MOSFET 可靠性研究进展 随着功率电子器件技术的不断发展,4H-SiC 功率 MOSFET 在高温、高电压、高功率应用领域具有广泛的应用前景。然而,其可靠性是制约其应用的一个主要问题。本文将综述近年来国内外关于 4H-SiC 功率MOSFET 可靠性研究的进展情况,并分析存在的问题和今后的研究方向。 1. 4H-SiC 功率...
sicmosfet器件功率特性电流扩展层 西安电子科技大学 硕士学位论文 4H-SiC功率MOSFET特性研究与器件模拟 姓名:*** 申请学位级别:硕士 专业:微电子学与固体电子学 指导教师:**明 20100101 摘要 摘要 碳化硅(SiC)由于其带隙宽、热导率高、电子的饱和速度大、临界击穿电场 高等特点成为制作高温、高频、大功率和抗辐射...