4H-SiC 功率 MOSFET 可靠性研究进展 随着功率电子器件技术的不断发展,4H-SiC 功率 MOSFET 在高温、高电压、高功率应用领域具有广泛的应用前景。然而,其可靠性是制约其应用的一个主要问题。本文将综述近年来国内外关于 4H-SiC 功率MOSFET 可靠性研究的进展情况,并分析存在的问题和今后的研究方向。 1. 4H-SiC 功率...
MOSFET可靠性4H-SiC功率MOSFET器件具有栅极驱动电路简单,开关时间短,功率密度大,转换效率高等优良特性,在电力电子系统中有着广泛的应用前景.但该器件在可靠性方面仍存在一些问题,如长期工作时的可靠性和动态工作中一些极端情况下的可靠性问题.针对器件的长期可靠性问题,阐述了长期可靠性的表征方法,栅介质制备工艺对长期...
4H-SiC功率MOSFET器件具有栅极驱动电路简单,开关时间短,功率密度大,转换效率高等优良特性,在电力电子系统中有着广泛的应用前景.但该器件在可靠性方面仍存在一些问题,如长期工作时的可靠性和动态工作中一些极端情况下的可靠性问题.针对器件的长期可靠性问题,阐述了长期可靠性的表征方法,栅介质制备工艺对长期可靠性的影响...
MOSFET可靠性4H-SiC功率MOSFET器件具有栅极驱动电路简单,开关时间短,功率密度大,转换效率高等优良特性,在电力电子系统中有着广泛的应用前景.但该器件在可靠性方面仍存在一些问题,如长期工作时的可靠性和动态工作中一些极端情况下的可靠性问题.针对器件的长期可靠性问题,阐述了长期可靠性的表征方法,栅介质制备工艺对长期...