他们采用了Si-IGBT、SiC-MOSFET和Si-FRD三者并联的创新方案，并针对MOSFET与IGBT的开关速度和导通压降协同、FRD与MOSFET体二极管的协同等关键技术难题进行了精细的设计。在驱动电压的选择上，他们巧妙地平衡了模块在短路时的耐受能力与低导通损耗之间的矛盾；同时，还充分考虑了全温域、全电流范围内FRD的振荡特性以及MOSF...
随着电力电子系统中对高效、高功率器件需求的日益增加,SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为关键元件,因其优异的电学性能而备受研究关注。然而,在SiC/SiO2界面附近的界面陷阱、近界面氧化物陷阱以及氧化物层中的缺陷和可移动电荷等问题的困扰下,SiC MOSFET的稳定性与可靠性成为制约其广泛应用的重要因素。 改进...
使得 SiC 可以在 MOSFET 器件中具有更 好的耐压性；SiC 中有着更高的电子饱和迁移速率，...
4H-SiC 功率 MOSFET 可靠性研究进展 随着功率电子器件技术的不断发展,4H-SiC 功率 MOSFET 在高温、高电压、高功率应用领域具有广泛的应用前景。然而,其可靠性是制约其应用的一个主要问题。本文将综述近年来国内外关于 4H-SiC 功率MOSFET 可靠性研究的进展情况,并分析存在的问题和今后的研究方向。 1. 4H-SiC 功率...
SiC由于其出色的电气特性(宽禁带,高饱和电子漂移速度等)被用作高温高电压器件,同时其拥有与Si基器件相同的氧化特性,能直接在SiC上生成SiO2层,这是其他同为第三代半导体GaN,钻石器件所不拥有的优点。这使得基于SiC MOSFET器件制造CMOS电路成为了可能。在Si基CMOS驱动电路与SiC功率器件的系统中,由于Si基电路不耐高温(...
在不使用外延层在同轴的半绝缘SIC衬底上制作4H-SIC横向双重注入金属氧化物半导体场效应晶体管。LDIMOSFET使用离子注入工艺从而形成电流通路层。共面波导作为栅极和漏极之间的漂移区。通过使用同轴半绝缘衬底和最优化的共面波导参数,1093伏特下的击穿电压和89.8兆欧姆·厘米2的特定导通电阻从20微米长的共面波导器件中被获得...
4H-SiC MOSFET中界面碳团簇的形成和迁移率退化机理Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs张召富武汉大学工业科学研究院研究员ZHANG ZhaofuProfessor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University 展开更多 ...
这款采用Si与SiC混合功率模块的电机控制器，不仅继承了第四代电机控制器平台的卓越性能，更融入了英飞凌新一代IGBT与SiC MOSFET混合模块的精髓。通过优化整合EDT3IGBT和Gen2SiC的技术精髓，PD4H实现了两种芯片性能的完美匹配，充分发挥了各自在不同工况下的技术优势。其高效、兼容且强劲的性能，使得峰值功率能够覆盖150...
基于第四代电机控制器平台打造，PD4H混碳电控搭载了英飞凌的新一代IGBT与SiC MOSFET混合模块，通过精湛的技术整合，实现了两种芯片的卓越性能兼容。其高效、强劲的性能特点，使得峰值功率能够轻松覆盖150250kW的动力总成系统，完美适配A/B/C级轿车、中大型SUV及MPV等多样化车型的动力需求。目前，该产品已顺利完成A样的...
美国纽约州立大学理工学院在4H-SiCMOSFET性能方面创下了新的纪录。他们设计了一种以源极为中心的器件,其栅漏极间距较小为25nm,沟道长度为30nm,但仍然可以实现合理的450V击穿电压。这一创新性设计在4H-SiC功率UMOSFET的设计与关键技术研究领域具有重要...