众所周知,当IGBT的开关OFF时,会流过元器件结构引起尾(tail)电流,因此开关损耗增加是IGBT的基本特性。 比较开关OFF时的波形可以看到,SiC-MOSFET原理上不流过尾电流,因此相应的开关损耗非常小。在此例中SiC-MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)的组合与IGBT+FRD(快速恢复二极管)的关断损耗Eoff相比,降低了88%。 还有重要的...
SiC MOSFET和IGBT各有优劣，选择合适的功率器件需要根据具体应用场景进行综合考量。SiC MOSFET在高频、高效能和高压应用中具有明显优势，而IGBT在中高压、大电流应用中表现突出。在未来的发展中，随着技术的进步和成本的降低，SiC MOSFET有望在更多领域中得到广泛应用。
SiC IGBT由于电导调制效应,导通电阻显著减小,与SiC MOSFET器件相比具有明显优势。但碳化硅IGBT与碳化硅MOSFET结构上最大的区别为背面多了PN结,结电压为2.6V,限制了其应用在10kV以下领域。在10kV以下,SiC MOSFET具有优势,其导通电阻小于SiC IGBT。而在10kV以上,SiC IGBT具有优势,其导通电阻小于SiC MOSFET。 图2. SiC I...
SiC 即使在1200V 以上的耐压值时也可以采用快速的MOSFET 结构,所以,与IGBT 相比,Turn‐off 损耗(Eoff)可以减少约90%,有利于电路的节能和散热设备的简化、小型化。而且,IGBT 的尾电流会随着温度的升高而增大,而SiC‐MOSFET 几乎不受温度的影响。另外,由于较大的开关损耗引起的发热会致使结点温度(Tj)超过额定值,...
驱动电压:SIC MOSFET需要较高的驱动电压(约18V)才能充分利用其低导通电阻的优势,而IGBT一般只需要10~15V的驱动电压。 内部栅极电阻:SIC MOSFET由于芯片尺寸较小,内部栅极电阻较大(约6.3Ω),因此需要较小的外部栅极电阻(几欧姆)才能实现高速驱动,但同时也要注意浪涌保护。IGBT由于芯片尺寸较大,内部栅极电阻较小(约1...
SiC MOSFET、Si CoolMOS和IGBT都是常见的功率半导体器件，它们有不同的特性和应用方案。以下是它们的特性对比及其应用方案：SiC MOSFET特性：高电压承受能力：可承受1000V以上的高电压。高开关速度：具有低开关损耗和短开关时间。高温性能：可在高温环境下工作，可承受150℃-200℃的工作温度。高效率：具有低导通损耗和...
Si IGBT是硅绝缘栅双极晶体管的简写。碳化硅MOSFET是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。 Si IGBT是电流控制器件,通过施加到晶体管栅极端子的电流切换,而MOSFET则由施加到栅极端子的电压进行电压控制。 Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说,MOSFET更适合高频开关应用,而IGBT更...
SiC MOSFET是在电力电子系统应用中一直期待的1200V以上能够耐压的高速功率器件，相比于IGBT具有高热导率、...
IGBT和SIC MOSFET的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，因此对IGBT和SIC MOSFET的短路保护是必要...