众所周知,当IGBT的开关OFF时,会流过元器件结构引起尾(tail)电流,因此开关损耗增加是IGBT的基本特性。 比较开关OFF时的波形可以看到,SiC-MOSFET原理上不流过尾电流,因此相应的开关损耗非常小。在此例中SiC-MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)的组合与IGBT+FRD(快速恢复二极管)的关断损耗Eoff相比,降低了88%。 还有重要的...
SiC MOSFET和IGBT各有优劣，选择合适的功率器件需要根据具体应用场景进行综合考量。SiC MOSFET在高频、高效能和高压应用中具有明显优势，而IGBT在中高压、大电流应用中表现突出。在未来的发展中，随着技术的进步和成本的降低，SiC MOSFET有望在更多领域中得到广泛应用。
SiC MOSFET芯片面积比IGBT小很多，譬如100A/1200V的SiC MOSFET芯片大小大约是IGBT与续流二级管之和的五...
(赵工评论:SiC MOSFET的确纵向结构比IGBT少一层,没有背面P+ 注入和N buffer组成的PN结,但SiC MOSFET也有P基区与N漂移区组成的PN结) 这些因素使SiC MOSFET在开关过程中更快,因此其短路时间通常比IGBT短(赵工评论:开关过程快短路时间就短?这是什么逻辑?)。值得注意的是,这并不意味着SiC MOSFET就比IGBT更好,因...
SiC IGBT由于电导调制效应,导通电阻显著减小,与SiC MOSFET器件相比具有明显优势。但碳化硅IGBT与碳化硅MOSFET结构上最大的区别为背面多了PN结,结电压为2.6V,限制了其应用在10kV以下领域。在10kV以下,SiC MOSFET具有优势,其导通电阻小于SiC IGBT。而在10kV以上,SiC IGBT具有优势,其导通电阻小于SiC MOSFET。
在结构上，IGBT与MOSFET虽有所相似，却各有差异。IGBT由发射极、集电极和栅极端子共同构成，而MOSFET则由源极、漏极和栅极端子组成。值得注意的是，IGBT的内部结构中包含PN结，而MOSFET则完全无此结构。进一步深入特性参数的比较，我们发现MOSFET与IGBT在多个方面展现出了显著差异。首先，在低电流区域，MOSFET的导通电压...
3.高温工作能力：在高温环境下，传统的IGBT性能会显著下降，而SiC MOSFET能够在高达200°C甚至更高的温度下稳定工作，这使得它们非常适合在高温环境中使用，如汽车引擎舱、工业高温环境等，大大扩展了其应用范围。4.热稳定性和使用寿命：由于SiC材料的高热导率，SiC MOSFET能够更有效地散热，减少了因过热导致的性能...
驱动电压:SIC MOSFET需要较高的驱动电压(约18V)才能充分利用其低导通电阻的优势,而IGBT一般只需要10~15V的驱动电压。 内部栅极电阻:SIC MOSFET由于芯片尺寸较小,内部栅极电阻较大(约6.3Ω),因此需要较小的外部栅极电阻(几欧姆)才能实现高速驱动,但同时也要注意浪涌保护。IGBT由于芯片尺寸较大,内部栅极电阻较小(约1...
SiC‐MOSFET 与IGBT 不同,不存在开启电压,所以从小电流到大电流的宽电流范围内都能够实现低导通损耗。而Si MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上,与Si MOSFET 不同,SiC MOSFET的上升率比较低,因此易于热设计,且高温下的导通电阻也很低。