英飞凌利用其最新Si和SiC芯片开关性能良好的匹配特性,第一款 混合功率模块可以采用常规单通道驱动模式,不增加系统控制复杂性 同时电控系统的性能可以获得提升。如下图所示,根据仿真175KW 400V BEV 电驱平台 采用英飞凌混合模块对比采用纯IGBT 模块,WLTP工况驾驶里程可以提高2.9% 。 本文转载自公众号:英飞凌汽车电子生态圈...
作为一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，IGBT巧妙融合了MOSFET的高输入阻抗与GTR的低导通压降，展现出驱动功率小且饱和压降低的显著优势。正因如此，IGBT特别适用于直流电压达到600V及以上的变流系统，涵盖交流电机、变频器、开关电源、照明电路以及牵引传动等多个领域。IGBT的应用广泛而深入，涵盖了诸多领域。在电...
近日，汇川联合动力创新发布了一款基于第四代电机控制器平台的PD4H混碳电控产品，该产品融合了英飞凌最新的IGBT与SiC MOSFET混合模块技术。通过精心优化，该产品充分利用了EDT3 IGBT和Gen2 SiC的卓越性能，实现了两种芯片在各种工况下的完美匹配与协同工作。PD4H混碳电控产品（左）与PD4H混碳逆变模组（右）的峰值功率...
英飞凌利用其最新Si和SiC芯片开关性能良好的匹配特性,第一款 混合功率模块可以采用常规单通道驱动模式,不增加系统控制复杂性 同时电控系统的性能可以获得提升。如下图所示,根据仿真175KW 400V BEV 电驱平台 采用英飞凌混合模块对比采用纯IGBT 模块,WLTP工况驾驶里程可以提高2.9% 。 本文转载自公众号:英飞凌汽车电子生态圈...
英飞凌利用其最新Si和SiC芯片开关性能良好的匹配特性,第一款 混合功率模块可以采用常规单通道驱动模式,不增加系统控制复杂性 同时电控系统的性能可以获得提升。如下图所示,根据仿真175KW 400V BEV 电驱平台 采用英飞凌混合模块对比采用纯IGBT 模块,WLTP工况驾驶里程可以提高2.9% 。
Si/SiC混合开关的配置 图1显示了所提出的Si/SiC混合开关及其栅极驱动信号,该开关集成了并联的高压SiC MOSFET和Si IGBT。众所周知,IGBT等双极半导体器件在高电流密度下具有更好的正向导通特性(如图2所示),MOSFET等单极半导体器件具有更快的开关速度和更低的开关损耗,尤其是关断损耗。因此,为了结合IGBT和MOSFET的优点,...
综上,SiC MOSFET器件并不是在所有负载条件下,都具有压倒性的性能优势。这也就很容易理解在选择SiC mosfet 还是Si IGBT 时需要考虑一个盈亏平衡点。 新能源车动力配置布局 新能源电动汽车的性能分配有多种选择,主流方案就是在主驱动轴和副驱动轴之间进行分配。在我们的示例中(图3),主驱动轴始终处于啮合状态,满足...
最后,受 SiC材料缺陷密度高、 SiC 器件加工工艺成熟度低、产品良率低和可靠性不高等问题的限制, SiC MOSFET 功率模块的成本是同类 Si IGBT 功率模块产品的 5 至 8 倍。在现在中国汽车这么内卷的时代,谁手里有SIC芯片和模块,谁就掌握了财富密码和主动权。 总之,低成本、可采购性、保供等是当前阶段整车厂及零...
特别是在快速开关能力和抗宇宙射线性能方面,SiC T-MOSFET等宽带隙功率半导体技术优于现有的1200-V Si-IGBT技术。尽管碳化硅(SiC)器件价格高昂,并且所需的栅极驱动器原理更复杂,比如利用有源米勒钳位抑制寄生元件开通,但是该类器件的损耗大幅降低。因此,对于快速开关器件来说,SiC T-MOSFET如果与具有成本效益的硅基器件...
综上,SiC MOSFET器件并不是在所有负载条件下,都具有压倒性的性能优势。这也就很容易理解在选择SiC mosfet 还是Si IGBT 时需要考虑一个盈亏平衡点。 新能源车动力配置布局 新能源电动汽车的性能分配有多种选择,主流方案就是在主驱动轴和副驱动轴之间进行分配。在我们的示例中(图3),主驱动轴始终处于啮合状态,满足...