英飞凌利用其最新Si和SiC芯片开关性能良好的匹配特性,第一款 混合功率模块可以采用常规单通道驱动模式,不增加系统控制复杂性 同时电控系统的性能可以获得提升。如下图所示,根据仿真175KW 400V BEV 电驱平台 采用英飞凌混合模块对比采用纯IGBT 模块,WLTP工况驾驶里程可以提高2.9% 。 图12 英飞凌混合模块...
英飞凌利用其最新Si和SiC芯片开关性能良好的匹配特性,第一款 混合功率模块可以采用常规单通道驱动模式,不增加系统控制复杂性 同时电控系统的性能可以获得提升。如下图所示,根据仿真175KW 400V BEV 电驱平台 采用英飞凌混合模块对比采用纯IGBT 模块,WLTP工况驾驶里程可以提高2.9% 。 本文转载自公众号:英飞凌汽车电子生态圈...
英飞凌利用其最新Si和SiC芯片开关性能良好的匹配特性,第一款 混合功率模块可以采用常规单通道驱动模式,不增加系统控制复杂性 同时电控系统的性能可以获得提升。如下图所示,根据仿真175KW 400V BEV 电驱平台 采用英飞凌混合模块对比采用纯IGBT 模块,WLTP工况驾驶里程可以提高2.9% 。 本文转载自公众号:英飞凌汽车电子生态圈...
英飞凌利用其最新Si和SiC芯片开关性能良好的匹配特性,第一款 混合功率模块可以采用常规单通道驱动模式,不增加系统控制复杂性 同时电控系统的性能可以获得提升。 如下图所示,根据仿真175KW 400V BEV电驱平台 采用英飞凌混合模块对比采用纯IGBT模块,WLTP工况驾驶里程可以提高2.9%。 图12...
综上,SiC MOSFET器件并不是在所有负载条件下,都具有压倒性的性能优势。这也就很容易理解在选择SiC mosfet 还是Si IGBT 时需要考虑一个盈亏平衡点。 新能源车动力配置布局 新能源电动汽车的性能分配有多种选择,主流方案就是在主驱动轴和副驱动轴之间进行分配。在我们的示例中(图3),主驱动轴始终处于啮合状态,满足...
第二种配置是一种混合解决方案,中性支路上设置额定值为150A的H3 IGBT和额定值为50A的SiC FWD(NPC1 b)。第三种配置考虑ANPC结合6-mΩ CoolSiC™ MOSFET和150-A TRENCHSTOP™ IGBT7。为进行比较,按最高功率密度(如最大芯片面积),而非相同的额定芯片电流,对每种配置进行计算。为简化两种NPC配置的计算过程...
综上,SiC MOSFET器件并不是在所有负载条件下,都具有压倒性的性能优势。这也就很容易理解在选择SiC mosfet 还是Si IGBT 时需要考虑一个盈亏平衡点。 新能源车动力配置布局 新能源电动汽车的性能分配有多种选择,主流方案就是在主驱动轴和副驱动轴之间进行分配。在我们的示例中(图3),主驱动轴始终处于啮合状态,满足...
综上,SiC MOSFET器件并不是在所有负载条件下,都具有压倒性的性能优势。这也就很容易理解在选择SiC mosfet 还是Si IGBT 时需要考虑一个盈亏平衡点。 新能源车动力配置布局 新能源电动汽车的性能分配有多种选择,主流方案就是在主驱动轴和副驱动轴之间进行分配。在我们的示例中(图3),主驱动轴始终处于啮合状态,满足...
首先,单芯片 SiC MOSFET 的额定电流远小于单芯片 Si IGBT 的额定电流,导致 SiC MOSFET功率模块的载流能力远小于 Si IGBT 模块的载流能力。目前,产品化的SiC MOSFET功率模块的大部分厂家最大规格为1200V/ 600A。不能满足高压化和高功率的需求。 其次,为提高 SiC MOSFET 功率模块的容量以及冗余能力,采用 SiC MOS...
近日,汇川联合动力推出了采用Si和SiC混合功率模块的电机控制器产品——PD4H混碳电控,这款产品是基于第四代电机控制器平台进行开发,采用英飞凌新一代的IGBT和SiC MOSFET混合模块,优化并利用EDT3 IGBT 和Gen2 SiC的技术优势,使得两种芯片性能兼容匹配,发挥不同芯片在不同工况下的技术优势。