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因此,在未来更多IGBT模块的应用领域中,都会伴随着碳化硅基板的出现,以满足对高效、可靠和紧凑的电力电子系统的需求。 综上所述,碳化硅与IGBT在半导体领域各自具有独特的应用价值,并且二者在某些应用中还能够相互结合,共同发挥优势,为电力电子系统的发展提供强有力的支持。 碳化硅(SiC)与IGBT芯片的测试 碳化硅(SiC)与IGB...
不难发现，斯达半导体致力于 IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片以及IGBT、SiC等功率模块的设计、制造。高压特色工艺功率芯片和SiC芯片受下游多行业需求拉动，也带来巨大的发展动力。换言之，以上两项投资既能提高斯达半导体IGBT、SiC模块的产能瓶颈之余，又能进一步丰富其产品结构，有效整合产业资源，加快国产替代。此前...
近年来公司研发了SiC 、IGBT等功率器件,封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形,产品主要应用在储能、充电桩、逆变器、光伏、电动汽车、高铁、电网等领域。 据介绍,这款SiC MOSFET PIM模块拥有非常多的自主创新,例如采用多种自主创新的封装结构和工艺,使用了热敏电阻芯片(NTC)的高效贴片工艺,优...
展览中,赛晶半导体自主研发IGBT、SiC芯片及模块引发众多专家学者、高校师生热烈关注和深入交流,并受到了与会技术专家和客户的高度关注和热烈反响。 赛晶i20系列IGBT芯片组(1200V、1700V) 1700V是IGBT的主流电压等级之一,广泛应用于风力发电、无功补偿(SVG)、智能电网,以及中高压变频器等领域。赛晶i20系列1700V IGBT芯...
SiCIGBT模块封装如何提前检测出失效芯片? 1、引言 当前,在国际节能环保的大趋势下,SiCIGBT芯片下游的新能源汽车、变频家电、新能源发电等领域迅速发展,加上我国经济快速腾飞,能源需求量大幅上升,在这样的背景下,各企业对SiCIGBT模块的需求逐步扩大,新兴行业的加速发展也持续推动SiCIGBT市场的高速增长。
【摘要】IGBT领域,国产芯片技术水平已经逐渐赶上海外巨头步伐,2023年国产化率超过30%;SiC领域,当前90%市场份额仍被英飞凌、安森美、意法半导体等国外厂商主导,但本土企业产能建设和可靠性调试正在进行,也有在未来实现大规模国产替代的希望。 但在终局到来之前,用“高度内卷”来概括中国汽车功率半导体的竞争格局一点都不...
集微网消息 近日，芯朋微在接受机构调研时表示，公司 2022 定增的募投项目-新能源汽车芯片项目将主要开发高压电源控制芯片、高压半桥驱动芯片、高压隔离驱动芯片、高压辅助源芯片以及智能 IGBT 和 SiC 器件。目前，芯朋微已发展成为国内家用电器、标准电源行业电源管理芯片的优势供应商，在整机/模块产品中加载了公司电源...
展览中,赛晶半导体自主研发IGBT、SiC芯片及模块引发众多专家学者、高校师生热烈关注和深入交流,并受到了与会技术专家和客户的高度关注和热烈反响。 赛晶i20系列IGBT芯片组(1200V、1700V)1700V是IGBT的主流电压等级之一,广泛应用于风力发电、无功补偿(SVG)、智能电网,以及中高压变频器等领域。赛晶i20系列1700V IGBT芯片...
BASiC基本公司为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案 BASiC基本公司针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片,可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本公司的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片,绝缘最大浪涌耐压可达8000V,驱动峰值电流高达正负15A,可支持耐压1700V以内功率器件的...