综上所述,碳化硅与IGBT在半导体领域各自具有独特的应用价值,并且二者在某些应用中还能够相互结合,共同发挥优势,为电力电子系统的发展提供强有力的支持。 碳化硅(SiC)与IGBT芯片的测试 碳化硅(SiC)与IGBT芯片的测试在电力电子领域具有非常重要的地位,因为它们都是高性能功率半导体器件的关键组成部分。以下是对这两种器件测...
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将SiCIGBT芯片从wafer上取下来焊在DBC上,再通过打线将芯片的各电极分别与DBC上预留的绑线位通过金属线连接起来,此时的状态称之为DBC阶段。如果在DBC阶段就对其进行测试筛选,将性能不良的芯片筛选出来,封装成模块以后的不良率会大大降低。而DBC阶段的成本大大低于模块成本,比如一个600A的62mm IGBT模块,内部分为上下...
近年来公司研发了SiC 、IGBT等功率器件,封装形式有TO247-3、TO247-4PHC、IPM24A-D、WPM11C等外形,产品主要应用在储能、充电桩、逆变器、光伏、电动汽车、高铁、电网等领域。 据介绍,这款SiC MOSFET PIM模块拥有非常多的自主创新,例如采用多种自主创新的封装结构和工艺,使用了热敏电阻芯片(NTC)的高效贴片工艺,优...
BASiC基本公司为SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超结MOS提供驱动芯片及驱动供电解决方案 BASiC基本公司针对多种应用场景研发推出门极驱动芯片,可适应不同的功率器件和终端应用。BASiC基本公司的门极驱动芯片包括隔离驱动芯片和低边驱动芯片,绝缘最大浪涌耐压可达8000V,驱动峰值电流高达正负15A,可支持耐压1700V以内功率器件的...
不难发现，斯达半导体致力于 IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片以及IGBT、SiC等功率模块的设计、制造。高压特色工艺功率芯片和SiC芯片受下游多行业需求拉动，也带来巨大的发展动力。换言之，以上两项投资既能提高斯达半导体IGBT、SiC模块的产能瓶颈之余，又能进一步丰富其产品结构，有效整合产业资源，加快国产替代。此前...
发货地 上海 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 场效应管(MOSFET) 商品关键词 SIC驱动、 驱动芯片、 IGBT模块驱动、 瞻芯电子碳化硅、 碳化硅SIC 商品图片 商品参数 品牌: 上海瞻芯 包装: 卷 最小包装量: 10 供电电压: -0.3 至35 V 栅级驱动输出电压: -0.3 VCC+0.3 V 信号输入电压: -...
IGBT根据封装形式可分为分立器件(单管和二极管组成)、IGBT模块(多个IGBT芯片和二极管芯片等组成)和智能功率模块(IPM),单管主要应用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器及小功率变频器,模块主要应用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车(电机控制器、车载空调、充电桩)等领域,IPM模块主要应用于变频空调、变频洗衣机等...
展览中,赛晶半导体自主研发IGBT、SiC芯片及模块引发众多专家学者、高校师生热烈关注和深入交流,并受到了与会技术专家和客户的高度关注和热烈反响。 赛晶i20系列IGBT芯片组(1200V、1700V) 1700V是IGBT的主流电压等级之一,广泛应用于风力发电、无功补偿(SVG)、智能电网,以及中高压变频器等领域。赛晶i20系列1700V IGBT芯...