这6个IGBT芯片分为上、下两个半桥臂,其中,IGBTⅠ、Ⅱ、Ⅲ并联连接组成上半桥臂,IGBT Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ并联连接组成下半桥臂,两个半桥臂之间串联连接。每个IGBT芯片的两端反并联有1个二极管,用于实现续流。 在解决IGBT封装问题上,大部分精力集中在解决IGBT模块的散热上,毕...
IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是电力控制和电力转换的核心器件，是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型...
在400V~10数kV的高耐压区域,现在最常用的功率半导体是IGBT。作为现如今功率半导体器件的主要代表之一,IGBT综合了功率MOSFET和双极型晶体管(BJT)两种器件的结构,具有输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制 能力高、工作频率高等特点,被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 表Si/SiC/G...
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碳化硅（SiC）与IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在半导体领域都有着重要的应用。碳化硅（SiC）与IGBT的应用 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点。这使得碳化硅器件能够大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。在电力电子领域，碳化硅的高电场饱和漂移速度和高击穿电场...
由于新能源汽车对续航里程的高需求,使得电能管理需求更精细化,这些对绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transister,IGBT)、MOSFET、二极管等功率分立器件的需求远高于传统汽车,在新能源汽车中功率半导体占了整车半导体的55%左右。 功率半导体器件作为电能转换、驱动、控制等电力电子装置的基础和核心,是推动电力电子系...
由于新能源汽车对续航里程的高需求,使得电能管理需求更精细化,这些对绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transister,IGBT)、MOSFET、二极管等功率分立器件的需求远高于传统汽车,在新能源汽车中功率半导体占了整车半导体的55%左右。 功率半导体器件作为电能转换、驱动、控制等电力电子装置的基础和核心,是推动电力电子系...
SiC在主逆变器、OBC、DC-DC的应用 如上所述,碳化硅功率器件在功率密度、效率和冷却工作方面具有显着的系统优势,因为与硅 IGBT 相比,它们的损耗更低。在主逆变器、车载充电器 (OBC) 和 DC-DC 转换器这些应用中,碳化硅的优势尤为明显。 主逆变器不仅驱动电机,还用于再生制动并将能量回馈给电池。这意味着主逆变器...
一、IGBT内部结电容有哪些 由于设计结构,IGBT内部存在许多寄生电容,这些等效电容可以简化为IGBT各级之间的电容: 1、输入电容Cies:Cies=CGC+CGE 当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启,放电致一定值时器件才可以关断,因此主要影响器件的开关速度、开关损耗。
SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱 动器和铁路中变得越来越常见,而 IGBT 在电机驱动器 (交流电机),不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式 和串式光伏逆变器以及牵引逆变器 EV/HEV 中很常见。