这6个IGBT芯片分为上、下两个半桥臂,其中,IGBTⅠ、Ⅱ、Ⅲ并联连接组成上半桥臂,IGBT Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ并联连接组成下半桥臂,两个半桥臂之间串联连接。每个IGBT芯片的两端反并联有1个二极管,用于实现续流。 在解决IGBT封装问题上,大部分精力集中在解决IGBT模块的散热上,毕...
IGBT的应用领域广泛，特别是在直流电压达到600V及以上的变流系统中如轨道交通、智能电网、航空航天以及电动汽车与新能源装备等领域。在电动汽车中，IGBT的应用尤为关键，它能够精确控制电机转速、实现电池的充电与放电管理，以及确保电动机转速与车速的同步。根据不同的结构特点，IGBT可以分为穿通IGBT（PT-IGBT）和非穿...
例如，在太阳能和风能系统中，SiC和IGBT都被用于逆变器中，用于实现电能的转换和传输。在高速列车、高速电梯和航空航天领域，SiC和IGBT也被广泛应用于电力电子系统中，用于实现能量的高效转换和控制。此外，SiC和IGBT还在射频和微波器件、光电子器件、核能应用等领域发挥着重要作用。综上所述，SiC和IGBT作为现代电力电子...
在400V~10数kV的高耐压区域,现在最常用的功率半导体是IGBT。作为现如今功率半导体器件的主要代表之一,IGBT综合了功率MOSFET和双极型晶体管(BJT)两种器件的结构,具有输入阻抗高、易于驱动、电流能力强、功率控制 能力高、工作频率高等特点,被广泛应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 表Si/SiC/G...
一、SiC MOSFET的短路特性 V.S.绝缘栅双极晶体管IGBT 相比硅IGBT，SiC MOSFET具有更小的芯片面积，更...
同时,IGBT对温度敏感,高温环境下性能可能下降。 SiC 优点:SiC材料具有高击穿电场强度、高饱和电子漂移速率和高热导率等特点,使得SiC功率器件具有更低的开关损耗、更高的工作效率和更好的耐高温性能。此外,SiC器件还具有较高的抗辐射能力和较小的体积。 缺点:目前SiC材料的制备成本较高,导致SiC功率器件的价格相对较...
由于新能源汽车对续航里程的高需求,使得电能管理需求更精细化,这些对绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transister,IGBT)、MOSFET、二极管等功率分立器件的需求远高于传统汽车,在新能源汽车中功率半导体占了整车半导体的55%左右。 功率半导体器件作为电能转换、驱动、控制等电力电子装置的基础和核心,是推动电力电子系...
碳化硅（SiC）与IGBT（绝缘栅双极型晶体管）在半导体领域都有着重要的应用。碳化硅（SiC）与IGBT的应用 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点。这使得碳化硅器件能够大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。在电力电子领域，碳化硅的高电场饱和漂移速度和高击穿电场...
因此，尽管SiC材料具有诸多潜力，但目前在IGBT制造领域仍需进一步突破相关技术难题。尽管SiC材料在耐高温、高压以及低损耗方面具有显著优势，特别适用于高压大功率应用，但其高昂的制备成本和在某些应用场合下的“性能过剩”问题，使得其在实际商业应用中缺乏竞争力。因此，目前市场上鲜见商业化的SiC IGBT产品。与Si材料的...
SiC/IGBT功率半导体器件应用发展 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是电力控制和电力转换的核心器件,是由BJT(双极型晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有高输入阻抗、低导通压降、高速开关特性和低导通状态损耗等特点,在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。新能源汽车受800V...