SiC的禁带宽度远大于传统的硅材料，这使得SiC器件能够在更高的温度和压力下工作，而不会发生性能衰退。具体来说，SiC的击穿电场强度远高于硅，因此SiC器件能够承受更高的电压，同时保持较低的导通电阻。这一特性使得SiC在高电压、高功率的应用场景中表现出色。SiC的热导率也非常高，这意味着SiC器件在工作时产生的热...
在智己L6发布会上被写错的SiC和IGBT究竟是什么?如果只看单词的话,SiC指的是碳化硅,是电车半导体器件衬底晶圆的一种材料。而IGBT是一种半导体器件的种类,所有基于400V平台的电车都会用到它。不过,我们平时说的SiC,其实是SiC MOSFET的缩写,它是另一种半导体器件,主要被800V平台的电车使用。
Si MOSFET、Si IGBT 和 SiC MOSFET 均可用于电源 应用,但其功率水平、驱动方法和工作模式有所不同。功率 IGBT 和 MOSFET 在栅极均由电压进行驱动,因为 IGBT 内部是一个驱动双极结型晶体管 (BJT) 的 MOSFET。由于 IGBT 的双极特性,它们以低饱和电压 承载很大的电流,从而实现低导通损耗。MOSFET 也具 有低导通损...
尽管SiC的成本高于IGBT,但在许多应用中,SiC提高的能效所带来的整车其他方面的成本节省可以抵消这种成本差异。 图3和图4比较了IGBT模块(方形连线图)NVH820S75L4SPB与SiC模块(圆形连线图)NVXR17S90M2SPB的效率。这两张图显示了IGBT技术由于开关频率和RMS负载电流较高而具有更高的功率损耗。而图5和图6则显示了以更...
功率密度和效率: ▲图3.如果把SiC和IGBT按功率和电流密度来比较 当然从逆变器本身的效能来看,主要根据参数规格来对标: ▲表1.电机、逆变器和整车参数的对比 也就是说400VSiC带来的效能,后续很多的车辆才赶上,类似Lucid Air这种车也能实现较高的Mile/kWh。
SIC模块和IGBT模块是两种不同类型的功率电子器件,它们在材料和性能特征上存在显著差异,适用于不同的应用领域,下面颖特新详细介绍一下这两者之间的差别。 SIC模块与IGBT模块的区别: 1.材料差异:sic是宽禁带材料,而igbt是基于硅的材料。sic具有更高的击穿电场强度、更高的热导率、更高的工作温度和更小的芯片面积等...
特别是在快速开关能力和抗宇宙射线性能方面,SiC T-MOSFET等宽带隙功率半导体技术优于现有的1200-V Si-IGBT技术。尽管碳化硅(SiC)器件价格高昂,并且所需的栅极驱动器原理更复杂,比如利用有源米勒钳位抑制寄生元件开通,但是该类器件的损耗大幅降低。因此,对于快速开关器件来说,SiC T-MOSFET如果与具有成本效益的硅基器件...
丰田汽车使用了自主研发的IGBT模块来实现低损耗和高可靠性的电机控制。 探索SIC MOSFET原理 SIC MOSFET是一种具有高效率、高温度、高压和高频等优势的宽禁带半导体器件,目前已经被广泛应用于电动汽车、光伏逆变器、电网和工业等领域。 SIC MOSFET分为平面型和沟槽型,沟槽型是未来发展方向。目前,市场上有多家公司推出了...
双脉冲测试 (Double Pulse Test ，DPT) 采用不同的设置来分析SiC和IGBT模块的开关特性。如表1所示，对于直流链路环路电感影响分析，可在直流链路电容和模块之间添加母线来进行。对于栅极环路电感影响分析，如表10所示，在栅极驱动板和模块之间添加外部插座或电线。为了研究模块的开关特性，本次测试使用 900V、1.7...
众所周知，压接式IGBT市场需求的增长，东芝对这类产品的未来有着更高的期望。SiC的强势出击和IGBT一样，近年来被高度看好的SiC也陷入了内卷苦战。但东芝凭借其在功率器件方面积累的经验，叠加差异化布局和创新，公司展望在这个领域再创佳绩。屈兴国表示，在碳化硅方面，东芝专注的是电压范围在1200V到3300V的模块产品...