IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是电力控制和电力转换的核心器件，是由BJT（双极型晶体管）和MOS（绝缘栅型...
SiC的禁带宽度远大于传统的硅材料，这使得SiC器件能够在更高的温度和压力下工作，而不会发生性能衰退。具体来说，SiC的击穿电场强度远高于硅，因此SiC器件能够承受更高的电压，同时保持较低的导通电阻。这一特性使得SiC在高电压、高功率的应用场景中表现出色。SiC的热导率也非常高，这意味着SiC器件在工作时产生的热...
全桥式逆变器部分使用了3种晶体管(Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFET),组成相同尺寸的移相DCDC转换器,就是用来比较各产品效率的演示机。 首先,在SiC-MOSFET的组成中,发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外,第二代(2G)SiC-MOSFET中,由2个...
尽管SiC的成本高于IGBT,但在许多应用中,SiC提高的能效所带来的整车其他方面的成本节省可以抵消这种成本差异。 图3和图4比较了IGBT模块(方形连线图)NVH820S75L4SPB与SiC模块(圆形连线图)NVXR17S90M2SPB的效率。这两张图显示了IGBT技术由于开关频率和RMS负载电流较高而具有更高的功率损耗。而图5和图6则显示了以更...
在智己L6发布会上被写错的SiC和IGBT究竟是什么?如果只看单词的话,SiC指的是碳化硅,是电车半导体器件衬底晶圆的一种材料。而IGBT是一种半导体器件的种类,所有基于400V平台的电车都会用到它。不过,我们平时说的SiC,其实是SiC MOSFET的缩写,它是另一种半导体器件,主要被800V平台的电车使用。
SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱 动器和铁路中变得越来越常见,而 IGBT 在电机驱动器 (交流电机),不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式 和串式光伏逆变器以及牵引逆变器 EV/HEV 中很常见。
SiC MOSFET 在功率因数校正电源、光伏逆变器、用于 EV/HEV 的直流/直流、用于 EV 的牵引逆变器、电机驱 动器和铁路中变得越来越常见,而 IGBT 在电机驱动器 (交流电机),不间断电源 (UPS)、小于 3kW 的集中式 和串式光伏逆变器以及牵引逆变器 EV/HEV 中很常见。
SiC 在较低负载下具有 95% 的效率，增益为 3%。增加行驶里程：一个 100 千瓦时的电池和基于 IGBT 的逆变器解决方案，可以产生 300 英里的最大行驶里程。使用 SiC ，效率提高 3% 以上，将使车辆的续航里程增加 9 英里或更多。对于具有更大电池的车辆，例如长途运输卡车，续航里程会更远。更小直径的布线：电机...
SIC模块和IGBT模块是两种不同类型的功率电子器件,它们在材料和性能特征上存在显著差异,适用于不同的应用领域,下面颖特新详细介绍一下这两者之间的差别。 SIC模块与IGBT模块的区别: 1.材料差异:sic是宽禁带材料,而igbt是基于硅的材料。sic具有更高的击穿电场强度、更高的热导率、更高的工作温度和更小的芯片面积等...
丰田汽车使用了自主研发的IGBT模块来实现低损耗和高可靠性的电机控制。 探索SIC MOSFET原理 SIC MOSFET是一种具有高效率、高温度、高压和高频等优势的宽禁带半导体器件,目前已经被广泛应用于电动汽车、光伏逆变器、电网和工业等领域。 SIC MOSFET分为平面型和沟槽型,沟槽型是未来发展方向。目前,市场上有多家公司推出了...