一般情况下，MOSFET的温度系数比IGBT低，在高温环境下MOSFET的性能更加稳定。由于不同的设计原理，IGBT的正向电压降较MOSFET大。不过在许多应用中，IGBT的高压降会被其他优点，如高瞬态电压承受能力和较低的导通损耗所抵消掉。因此在高电压应用中，IGBT更加适用。成本方面 IGBT因为制造过程复杂且功率处理能力高，成本高于...
1⃣️高电压应用: IGBT适用于高电压应用,具有较低的导通电阻。 2⃣️较好的热稳定性: IGBT在高温环境下具有相对较好的热稳定性。 3⃣️简化驱动电路: IGBT的驱动电路相对简化,对驱动要求较低。🌟劣势: 1⃣️开关速度较慢: 相较于MOSFET,IGBT的开关速度较慢,不适合高频应用。 2⃣️驱动电源...
本文主要是关于MOSFET和IGBT的区别,包括它们各自的优缺点和结构差异,如何选择MOSFET或IGBT等。另外,二极管恢复性能是决定MOSFET或IGBT通态开关的首要因素损耗,因此还讨论了二极管恢复对硬开关拓扑的影响。 MOS…
在控制领域,Mosfet与IGBT二者作为功率开关元件应用广泛,其原理是利用PN结及其组合、变形制成的电路控制元件,除此还有结构更简单的如二极管、BJT、JFET等。本节介绍下电机控制器中常用到的一种场效应晶体管:Mosfet,尤其在碳化硅(SiC)等新材料兴起后,此种晶体管在很多场合会代替IGBT,其应用会更加广泛。 38.1 Mosfet的定...
MOSFET:由源极、漏极和栅极端子组成,是通过改变栅极电压来控制漏极和源极之间的电流。 当栅极电压为正时,N型区会形成一个导电通道,电流从漏极流向源极; 当栅极电压为负时,通道被截止,电流无法通过。 IGBT:由发射极、集电极和栅极端子组成,是通过控制栅极电压来控制集电极和发射极之间的电流。
IGBT:目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,虽然IGBT的开关速度不及MOSFET,但依旧能提供良好的性能。 导通关断损耗 MOSFET:在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中,由于本身具有较快的开关速度,与IGBT相比它的导通时间更短,MOSFET能够在较高频率下工作。 MOSFET的关断损耗比IGBT低得多,主要是因为IGBT 的拖尾电流,死区时间也...
MOSFET 即金属-氧化物-半导体场效应晶体管，则以其高速开关、低功耗以及高阻抗等特点脱颖而出。它在高频率应用中表现出色，输入和输出之间的高电阻使其不易受到外部干扰。IGBT 即绝缘栅双极性晶体管，在处理和传导中至超高电压及大电流方面具有显著优势。它拥有出色的栅极绝缘特性，并且在电流传导过程中产生极低的...
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)与SiC(碳化硅)MOSFET作为功率半导体领域的核心器件,在新能源汽车、工业变频器、光伏逆变器等场景中发挥着关键作用。然而,其性能与可靠性高度依赖于严格的测试验证。本文结合测试方法、行业标准及国产测试设备(如鸿怡电子功率器件IC测试座、老化座、烧录座...
IGBT:目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,虽然IGBT的开关速度不及MOSFET,但依旧能提供良好的性能。 导通关断损耗 MOSFET:在具有最小Eon损耗的ZVS 和 ZCS应用中,由于本身具有较快的开关速度,与IGBT相比它的导通时间更短,MOSFET能够在较高频率下工作。 MOSFET的关断损耗比IGBT低得多,主要是因为IGBT 的拖尾电流,死区时间也...
IGBT或绝缘栅双极晶体管是一种结合了BJT和MOSFET的最佳部分的晶体管。它具有MOSFET(绝缘栅极)的高输入阻抗和快速开关速度的输入特性和BJT的大输出电流处理能力的输出特性。 它有栅极(G)、集电极(C)和发射极(E)三个端子,其中栅极代表MOSFET部分,集电极和发射极代表BJT部分。它是一种像MOSFET一样没有输入电流的电压控...