实 际上,混合器件与SiC MOSFET或Si IGBT类似,也具有正温度特性。 由于Si IGBT开关速度慢,且有拖尾电流损耗,单极性的SiC MOSFET开关损耗远小于双极性的Si IGBT。 开通特性。SiC MOSFET由于开关速度快,且在开通过程没有漂移区电导调制,会先于Si IGBT的开通使得混合器件的开通速度接近SiC MOSFET,获得更小的开通损耗。
实 际上,混合器件与SiC MOSFET或Si IGBT类似,也具有正温度特性。 由于Si IGBT开关速度慢,且有拖尾电流损耗,单极性的SiC MOSFET开关损耗远小于双极性的Si IGBT。 开通特性。SiC MOSFET由于开关速度快,且在开通过程没有漂移区电导调制,会先于Si IGBT的开通使得混合器件的开通速度接近SiC MOSFET,获得更小的开通损耗。
由大芯片面积、大电流等级的 Si IGBT作为主器件,小芯片面积、小电流等级的 SiC MOSFET 作为辅助器件,两者并联构成的 Si/SiC 混合器件(Hybrid Switch, HyS)。 2. 混合器件目的 结合了SiC MOSFET高开关频率、低开关损耗和Si IGBT大电流低导通损耗和成本低等优点实现了器件性能与价格成本的优化折衷,被认为是解决 SiC...
文献[17-18]通过调制优化实现有源中性点钳位(Active NPC, ANPC)型变换器支路的特性重塑,高频支路采用SiC MOSFET器件,低频支路采用Si IGBT器件。该拓扑在使用少量SiC MOSFET器件的条件下,整体效率接近全SiC MOSFET器件的ANPC变换器。文献[19]提出在基于Si基器件的MMC全桥子模块电容支路增加一个SiC MOSFET功率器件,可...
Si IGBT/SiC MOSFET混合器件有效结合了Si IGBT的大载流能力和SiC MOSFET的低开关损耗优点,混合后整体开关损耗接近SiC基器件,其成本更接近Si基器件。Si/SiC混合器件的应用对突破单一Si IGBT与SiC MOSFET功率器件技术瓶颈,满足电力电子变换器对于高效率、高功率密度和低成本的迫切需求具有重要意义[1-4]。
SiC器件新兴技术 在当今的现代社会,由于加热、机器人、电动/混合动力汽车、电力传输等应用的增加,对基于功率、设备的需求正在上升。由于这些因素,提高高电压和低损耗的功率型器件对于提供高性能和低成本的创新电网应用非常关键。 随着MOSFET和IGBT的发明,硅基功率开关器件使系统能够以更高的效率实现更大的输出。
采用由大容量Si IGBT和小容量SiC MOSFET并联组成的Si IGBT/SiC MOSFET混合器件结构(简称混合器件),以突破单一功率器件现阶段存在的局限性,有效满足高效率,高功率密度,大容量以及高可靠逆变器的应用需求.本论文以混合器件为核心,以逆变器为应用背景,针对混合器件的功率损耗,电磁干扰(EMI)噪声以及故障后的冗余特性三个...
混合SiC IGBT采用SiC肖特基二极管替换传统IGBT器件中的反并联二极管,可以减少二极管反向恢复损耗和IGBT开通损耗,相对于传统的Si IGBT器件,其性能大幅提升,相比于高压大功率全SiC器件,混合SiC IGBT在成本和技术成熟度方面具有较大优势.文章根据混合SiC IGBT器件特性开发了符合混合SiC IGBT器件应用需求的低换流回路杂散电感的...
本发明涉及驱动开关控制,尤其涉及一种面向电动汽车电驱应用的sic-mosfet/si-igbt混合器件的驱动控制策略。 背景技术: 1、随着电动汽车行业的快速发展,对电机(ev)电驱动系统的功率密度、效率、可靠性等方面提出了更高的要求。这些要求推动了对高性能电力电子器件技术的不断研发和创新。特别是在电力电子装置中,为了应对...
混合SiC IGBT采用SiC肖特基二极管替换传统IGBT器件中的反并联二极管,可以减少二极管反向恢复损耗和IGBT开通损耗,相对于传统的Si IGBT器件,其性能大幅提升,相比于高压大功率全SiC器件,混合SiC IGBT在成本和技术成熟度方面具有较大优势.文章根据混合SiC IGBT器件特性开发了符合混合SiC IGBT器件应用需求的低换流回路杂散电感的...