此外,可以看到,与150℃时的Si MOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。 与IGBT的区别:关断损耗特性 前面多次提到过,SiC功率元器件的开关特性优异,可处理大功率并高...
模式I:在该门极控制时序下,SiC MOSFET 比 Si IGBT先开后关。此时, Si IGBT为零电压开通和零电压关断,而SiC MOSFET 硬开通和硬关断。Si IGBT 主要分担混合器件导通损耗,而混合器件开关损耗主 要由SiC MOSFET 承担。 模式II:在该门极控制时序下,先开先关。此时, SiC MOSFET为硬开通,ZVS关断,而Si IGBT为 ZV...
目前SiC-MOSFET有用的范围是耐压600V以上、特别是1kV以上。关于优势,现将1kV以上的产品与当前主流的Si-IGBT来比较一下看看。相对于IGBT,SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗,实现了高频率工作,有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET(超级结MOSFET),导通电阻较小,可减少相同导通电阻的芯片面积,并显著降低恢复...
Si-IGBT虽然在高压领域具有优势，但是并不能胜任高频领域需求；Si-MOSFET可以胜任高频领域，但是对于电压有一定的限制；SiC与MOSFET相比完美地解决了硅基中高压与高频很难同时实现这一难题，基于与高压中频兼容, SiC-MOSFET并以其高效率小体积等特点成为电动汽车，充电桩和光伏逆变器（不考虑成本的话）的最优方案；GaN...
SiC mosfet 和Si IGBT 的性能对比 在探讨新能源车的牵引逆变器功率器件首选是SiC还是Si 器件之前,我们先简单对比SIC MOSFET 和 IGBT 基本特性。 导通特性 从导通特性看,由于不同的物理结构,IGBT与SIC MSOFET具有不同的输出特性曲线,如下图所示。SiC MOSFET导通特性表现得更像一个电阻输出特性,而IGBT 则表现出一...
IGBT兼具金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)高输入阻抗和双极晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)大电流密度的特点,在大功率应用领域拥有显著的优势,一度被称为近乎理想的功率半导体器件。 既然说IGBT集成BJT和MOSFET的...
碳化硅基 MOSFET 在相同环境下，对比同规格硅基 IGBT 的能量损失减少66%，主要来自开关损耗的大幅减少。相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基 MOSFET 相比，其尺寸可大幅减小至原来的1/10，导通电阻可至少降低至原来的 1/100。从汽车设计的角度，在系统设计中可以简化散热系统，降低热预算，同时减小电容电感体积，从而...
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)与SiC(碳化硅)MOSFET作为功率半导体领域的核心器件,在新能源汽车、工业变频器、光伏逆变器等场景中发挥着关键作用。然而,其性能与可靠性高度依赖于严格的测试验证。本文结合测试方法、行业标准及国产测试设备(如鸿怡电子功率器件IC测试座、老化座、烧录座...
其次与硅基功率模块(比如IGBT)相比,碳化硅二极管及开关管组成的模块(全碳模块),不仅具有碳化硅材料本征特性优势,在应用时还可以缩小模块体积50%以上、消减电子转换损耗80%以上; 碳化硅基 MOSFET 在相同环境下,对比同规格硅基 IGBT 的能量损失减少66%,主要来自开关损耗的大幅减少。相同规格的碳化硅基 MOSFET 与硅基 ...
图1显示了所提出的Si/SiC混合开关及其栅极驱动信号,该开关集成了并联的高压SiC MOSFET和Si IGBT。众所周知,IGBT等双极半导体器件在高电流密度下具有更好的正向导通特性(如图2所示),MOSFET等单极半导体器件具有更快的开关速度和更低的开关损耗,尤其是关断损耗。因此,为了结合IGBT和MOSFET的优点,首先关闭Si IGBT,所有电...