与传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）相比，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）FET在功率密度和效率方面表现出色。SiC器件能够提供高达1,200V的电压等级，并具备高载流能力，非常适合汽车和机车牵引逆变器、高功率太阳能发电场以及大型三相电网转换器等应用。而GaN FET，如600V等级的产品，在高功率密度转换器...
SiC 衬底主要分为导电型 SiC 和半绝缘型 SiC 两种类型,其中导电型的 SiC 衬底经过 SiC 外延后制作高压功率器件。SiC MOSFET 相比于 Si 基 IGBT,其导通电阻可以做的更低,使得产品尺寸降低、缩小体积、开关速度快,功耗相比于传统功率器件要大大降低。 目前,SiC 功率元器件主要应用于四大市场:风电、太阳能等绿色能...
总的来说,IGBT和SiC甚至是GaN都是当下市场应用中十分重要的半导体器件,他们在电力电子领域和其他多个领域中都有着广泛的应用。虽然IGBT存在一些缺陷和不足,但随着技术的不断发展和创新,SiC和IGBT在竞争中互补,在竞争中联合。未来,IGBT将继续为电子电力领域发光发热。 编辑:黄飞...
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的...
倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势! 倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势! 一、国产SiC MOSFET低价策略的核心驱动力 1. 材料与工艺成本的大幅降低 衬底规模化生产:国内企业(如天岳先进、天科合达)已实现6英寸SiC衬底量产,良率提升至...
误区三:用SiC替代IGBT才有价值 根据氮化镓(GaN)和SiC的广泛宣传,有人认为,GaN主要用来替代硅MOSFET,而SiC则只能用来替代IGBT(图3)。实际上,SiC MOSFET也可以用来替代硅MOSFET。 这可以从两个重要指标来看:RDS(ON)·Qg品质因数(FOM)和反向恢复电荷(Qrr)。FOM=RDS(ON) ·Qg这个指标将导通损耗与栅极电荷联系起来—...
各种应用的功率转换器正从纯硅IGBT转向SiC/GaNMOSFET。一些市场(比如电机驱动逆变器市场)采用新技术的速度较慢,而另一些市场(比如太阳能逆变器、电动汽车牵引逆变器和充电器市场)在创新中发挥着关键作用。 预计未来五年太阳能市场将以10%的年复合增长率增长,非常乐观,而光伏系统价格预计将再下降20%。这很可能是光伏...
2)国内晶圆厂与设计厂齐头并进,MOSFET、IGBT 相对其他半导体功率器件更具有差异化特征,成熟的产业链协作对功率半导体 Fabless 企业至关重要。 3)新洁能部分产品工艺技术国内领先, 在 SiC/GaN 等宽禁带半导体功率器件的研发工作也形成了一定的技术突破。
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- 氮化镓(GaN)等其他宽禁带半导体技术可能因SiC价格下降面临差异化竞争。 --- ### **总结** SiC MOSFET价格低于IGBT的拐点,标志着第三代半导体技术从高端市场向大众化应用的跨越。这一变革由产能扩张、本土化竞争和技术突破共同驱动,其影响不仅限于功率半导体行业,更将重塑新能源汽车、能源基础设施等领域的格局。