材料差异: SIC MOSFET采用宽禁带材料碳化硅(SiC),而IGBT则是基于硅(Si)的材料。 SiC具有更高的击穿电场强度、更高的热导率、更高的工作温度(可达600℃,而硅器件约为200℃)和更小的芯片面积等优势。 开关特性差异: SIC MOSFET是单极器件,没有尾电流,因此能实现更快的开关速度和更低的开关
SiC MOSFET的制造成本通常高于IGBT，这主要是由于碳化硅材料的生产和加工难度较大。然而，随着技术的进步和市场需求的增加，SiC MOSFET的成本逐渐下降。在高效能和高频应用中，SiC MOSFET的高初始成本可以通过其更低的功率损耗和更高的系统效率来抵消。结语 SiC MOSFET和IGBT各有优劣，选择合适的功率器件需要根据具体应用...
因此与IGBT开关损耗特性有所区别。众所周知,当IGBT的开关OFF时,会流过元器件结构引起尾(tail)电流,因此开关损耗增加是IGBT的基本特性。 比较开关OFF时的波形可以看到,SiC-MOSFET原理上不流过尾电流,因此相应的开关损耗非常小。在此例中SiC-MOSFET+SBD(肖特基势垒二极管)的组合与IGBT+FRD(快速恢复二极管)的关断损耗E...
相比硅IGBT，SiC MOSFET具有更小的芯片面积，更大的电流密度，这使SiC MOSFET工作时产生的热量更为集中。
Si MOSFET、Si IGBT和SiC MOSFET在电源开关领域各有千秋。虽然这三种器件均可用于电源应用，但它们的功率水平、驱动方式以及工作模式存在显著差异。IGBT，作为功率器件的一种，其内部结构包含一个驱动双极结型晶体管（BJT）的MOSFET。正因如此，IGBT凭借其双极特性，能够以低饱和电压承载大电流，从而实现低导通损耗。然而...
SiC MOSFET和SiC IGBT的区别- 在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
众所周知,IGBT规格标定用的是电流,而SiC MOSFET规格标定用的是通态电阻。在650V及1200V应用领域,如果要将IGBT替换成SiC MOSFET,如何对标二者的电流,就成了一个难题。例如,现有设计用的是40A IGBT,使用多大m…
SIC MOSFET和SIC IGBT的比较 两者的相同点如下: SIC IGBT和SIC MOSFET都是基于碳化硅材料的宽禁带半导体器件,相比于传统的硅基器件,它们都有更高的耐压、更低的导通电阻、更快的开关速度和更好的温度特性等优点。 图示:IGBT沟槽栅结构 但是,两者之间也有一些区别,主要体现在以下几个方面: ...
它们在许多方面有着显著的区别,以下是对这两种技术的详细比较: 一、技术原理与结构 IGBT 技术原理:IGBT是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件,它结合了BJT(双极结型晶体管)的高电流密度特性和MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)的电压控制特性。 结构:IGBT由MOSFET的输入极(栅极G)和BJT的输出极(集电极C、发射极...