此外,可以看到,与150℃时的Si MOSFET特性相比,SiC、Si-MOSFET的特性曲线斜率均放缓,因而导通电阻增加。但是,SiC-MOSFET在25℃时的变动很小,在25℃环境下特性相近的产品,差距变大,温度增高时SiC MOSFET的导通电阻变化较小。 与IGBT的区别:关断损耗特性 前面多次提到过,SiC功率元器件的开关特性优异,可处理大功率并高...
SiC MOSFET和SiC IGBT的区别 SiC MOSFET比导通电阻与击穿电压的平方呈正比。随阻断电压增大,特别是超过10kV的高压应用领域,SiC MOSFET器件导通电阻显著增大,为解决上述问题,研究的目光转向了IGBT器件,详见图1。 图2. SiC MOSFET/IGBT结构示意图 SiC IGBT由于电导调制效应,导通电阻显著减小,与SiC MOSFET器件相比具有明显...
因此,在低电流范围内,SIC MOSFET的导通损耗比IGBT低。 开关损耗:SIC MOSFET在关断时没有尾电流,因此关断损耗很小,而IGBT在关断时会有尾电流造成额外的损耗。尾电流还会影响IGBT的开关速度,使其比SIC MOSFET慢。 驱动电压:SIC MOSFET需要较高的驱动电压(约18V)才能充分利用其低导通电阻的优势,而IGBT一般只需要10~1...
SiC MOSFET的制造成本通常高于IGBT，这主要是由于碳化硅材料的生产和加工难度较大。然而，随着技术的进步和市场需求的增加，SiC MOSFET的成本逐渐下降。在高效能和高频应用中，SiC MOSFET的高初始成本可以通过其更低的功率损耗和更高的系统效率来抵消。结语 SiC MOSFET和IGBT各有优劣，选择合适的功率器件需要根据具体应用...
SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低,不需要进行电导率调制就能够以高频器件结构的MOSFET实现高耐压和低阻抗。而且MOSFET原理上不产生尾电流,所以用SiC MOSFET替代IGBT时,能够明显地减少开关损耗,并且实现散热部件的小型化。另外,SiC MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动,从而也可以实现被动器件的小型化。与600V～1200...
Si IGBT是硅绝缘栅双极晶体管的简写。碳化硅MOSFET是碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的缩写。 Si IGBT是电流控制器件,通过施加到晶体管栅极端子的电流切换,而MOSFET则由施加到栅极端子的电压进行电压控制。 Si IGBT和SiC MOSFET之间的主要区别在于它们可以处理的电流类型。一般来说,MOSFET更适合高频开关应用,而IGBT更...
SiC MOSFET相对于Si MOSFET和IGBT的优势-ROHM 具有电流隔离功能的新型晶体管栅极驱动器 ( BM6112 ) 非常适合应对驱动 SiC MOSFET 的独特挑战。它可以驱动高达 20A 的大电流,驱动高达 20V 的栅极电压,并且以小于 150ns 的最大 I/O 延迟完成所有操作。
不同工艺技术结构各异，电气特征也不同。DMOS是常见平面型MOSFET结构，Si的功率MOSFET，通过超级结（Super Junction）结构应用越来越广泛。SiC-MOSFET采用DMOS结构，ROHM已量产性能更优的沟槽式结构SiC-MOSFET。特征方面，Si-DMOS存在导通电阻课题，通过SJ-MOSFET结构改善。IGBT在导通电阻和耐压表现出色，但存在...
Si IGBT和SiC MOSFET的栅电荷Qg如图9所示,SiC MOSFET的Qg明显小于IGBT,这说明SiC MOSFET更适用于高频率。 图9 Si IGBT(图左)与SiC MOSFET(图右)Qg特性曲线 3、总结 以上都是通过DateSheet数据分析,但是对于器件性能的评估,还需要结合实际应用中器件静态特性、开关性能、温度行为和损耗分布等方面的综合比较。引用相...