該成果的詳細資訊已於5月11日在德國紐倫堡舉行的國際電力電子展PCIM Europe 2023進行發表。 東芝2200 V SiC MOSFET構造圖 2300V Si IGBT模組與SiC模組開關損耗比較 * 2300V Si 模組的性能值是東芝根據截至2023年3月發表的學術論文估算得來。 傳統3-Level Si IGBT和新開發的2-Level SiC MOSFET的變頻器損耗比較 *...
SiC MOSFETは、同程度の耐圧を維持しながらも、低いON抵抗やターンオフ時の低損失な動作ができるMOSFETの構造を実現できます。これは、Si基板と比較して約3倍のバンドギャップエネルギーと約10倍の破壊電界強度の物性値を有するSiC基板を材料に用いたトランジスタであるがゆえに、活性層の層厚を薄...
第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバイス構造を採用することで、当社第2世代の製品と比較して単位面積当たりのオン抵抗RonA、スイ...
東芝デバイス&ストレージ株式会社は、車載トラクションインバーター向けに、新構造で低オン抵抗と高信頼性を両立した1200V耐圧シリコンカーバイド (SiC) MOSFETのベアダイ製品「X5M007E120」を開発し、テストサンプル出荷を開始しました。
第3世代SiC MOSFETは、650V, 1200V耐圧の製品をラインアップ。第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバ...
第3世代SiC MOSFETは、650V, 1200V耐圧の製品をラインアップ。第2世代から引き続き、SiC MOSFETのドレイン・ソース間に存在するPNダイオードと並列にショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵する構造を採用し、デバイスの信頼性課題を解決、さらに最新[注1]デバ...