首先要了解相关的基础知识,有助于对仿真步骤的理解。 要进行仿真建模的文件类型如下。 当然还有很多别的文件,比如Saber中会用到的Netlist文件(忍不住吐槽,Saber真是难用的要命 : ( 然后是正式步骤: 本教程介绍了如何在LTspice中建模Wolfspeed SiC MOSFET和SiC二极管。 1. 下载.sym文件和.lib文件 1.1. Wolfspeed...
图6.加源极抑制电感和电阻之前(虚线)和加之后(实线)的均流特性变化 图7.不同源极抑制电感和电阻(1Ω虚线)和(3Ω实线)的均流特性变化 4、总结 基于以上TO247-4pin的SiC MOSFET两并联的仿真条件与结果,我们可以得到如下一些初步的结论(TO-247-3pin由于源极回路相对复杂,且看下期“仿真看世界”详细分解): 1、...
· 负载电流 I(R1),在下面的暗图中; · 上图中 Power on Mosfet 器件消耗的功率; · 所有信号都在图表右侧“放大”。 当“栅极”电压低于约 5.8 V 时,MOSFET 被禁用并且不传导任何电流。另一方面,如果该电压大于 6.8 V,则器件将关闭并传导电流。因此,如果它处于遮断状态,它不会消散任何力量。它的饱和导致...
拟合提取后的动静态模型进行仿真测试,并根据仿真测试结果,判断当前模型拟合度是否符合要求,若不符合要求,则返回“根据器件测试数据中的转移特性和输出特性,对压控电流源参数进行拟合提取”的步骤,直至仿真测试结果符合要求为止,从而针对SiC MOSFET特性构建较为准确的仿真模型,来描述器件物理特性,指导高压SiC MOSFET在工程中...
对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)而言,高质量的衬底可以从外部购买得到,高质量的外延片也可以从外部购买到,可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础,高性能的碳化硅器件对于器件的设计和制造工艺有着极高的要求。这篇文章将为您介绍SiC MOSFET器件设计和制造流程并展示onsemi在这方面的创新技术与成果。
SiC MOSFET界面态仿真模型反型层迁移率界面陷阱SiC因其优越的电学特性,已发展成为高压功率器件领域的翘楚.然而,SiC与SiO_(2)界面存在高密度界面态,使得SiC MOSFET沟道迁移率远低于SiC材料本身的体迁移率,大大约束了SiC材料本身电学性能的发挥.为改善反型层沟道迁移率,不同功率器件厂商采用了不同的栅极氧化工艺,所实现...
1模型理论与建模流程很多厂家在生产器件时,提供了SiCMOSFET的LTspice模型,但并不能应用于大多数的主流仿真软件。探究一种快速建模的方法,通过建立SPICE1模型可使该模型应用于大部分仿真软件,如Saber、Pspice、Multism等。本文应用Saber自带的ModelArchitect建模工具中PowerMOSFETTool对SiCMOSFET进行建模。SiCMOSFET基本模型...
SiC MOSFET模块封装具体流程及封装要求如下: (1)选用高性能的SiC MOSFET芯片。芯片具有通态电压低,功率损耗小,开通和关断速度快,工作频率高等特点。 (2)通过理论计算和电路分析,研究SiC MOSFET芯片之间的电参数匹配 关系,使SiC MOSFE模块工作于最佳效率。
运用Si IGBT厂家提供的仿真软件对表1所描述的电压源逆变器进行仿真,其中模块参数设置参看表3。对于150A Si IGBT 和 100A SiC MOSFET 模块,在保证同样散热规格下,分别在正常75A和过载90A情况下以及5kHz和16kHz下对系统运行。 从表3可以看出,在5kHz下,150ASi IGBT模块在正常和过载情况下,可以保持平均结温度远低于...
二、SiC MOSFET的压接封装解决方案 三、封装设计的仿真验证 四、封装原型的实验评估 因为这是两个技术...