sic mosfet 工艺流程 一、衬底准备 首先,需要准备一片高质量的单晶硅衬底。衬底的表面应光滑、无缺陷,并经过适当的清洗,以去除任何杂质和污染物。 二、氧化 在准备好的衬底上,进行氧化处理,形成一层二氧化硅(SiO2)薄膜。这层薄膜将作为SIC MOSFET的绝缘层。 三、磷扩散 在二氧化硅薄膜上,进行磷(P)元素的扩散,...
碳化硅器件未来的发展方向包括,进一步提高击穿电压、降低导通电阻,提高MOSFET的阈值电压稳定性,实现更低的栅氧层界面态密度、更高的沟道迁移率,减缓或避免栅极氧化层高温退化,发展沟槽型结构和超结结构,提升和完善背面减薄、激光退火等工艺。 随着碳化硅器件功率密度和工作温度进一步提高,需要更多的专属于碳化硅器件的封装方...
如图三A中的结构为了尽可能的减小导通电阻,需要调整开关单元的间距,pitch值和Wg也就是栅极的宽度有一定的关系,pitch值变小,Wg也相应变小,这个对于栅极的可靠性是有一定好处的,在SiC MOSFET里,栅极氧化层(Gate Oxide)非常的薄,小于100纳米,因此在SiC的生产工艺中使用了干式蚀刻的方法来控制加工的精度。 根据图三A...
在沟槽MOSFET的制造工艺步骤中,p基的注入步骤和沟槽的形成步骤可以互换,即先进行p基注入,然后制作沟槽结构,或者先制作沟槽,然后再进行p基注入。上图为首先进行沟槽的制造流程。 工艺步骤如下: 首先,在n+衬底上外延生长n-漂移区;然后,在通过使用Al或N的注入物对结构进行开槽后,开槽的栅极区被用来制作p基区。随后...
SiC与SiO2之间的界面质量对MOSFET的沟道迁移率及栅极的稳定性有着显著的影响。为了确保高质量的SiC/SiO2界面并满足器件的高迁移性能，必须开发特定的栅氧及氧化后退火工艺。这些工艺利用特殊原子（例如氮原子）来补偿界面处的悬挂键，从而优化界面的质量。核心工艺流程包括栅氧的高温氧化、以及LPCVD和PECVD等沉积技术。普...
目的:形成MOSFET的关键绝缘层。 7.Deposition of the gate contact based on Poly-Si (500 nm) for 4H-SiC MOSFET(沉积多晶硅作为栅接触材料(500纳米)) 目的:连接栅极和硅基底,控制通道的导电性。 8.Dry etching of the gate contact structure(栅接触结构的干法刻蚀) 目的:通过干法刻蚀技术精确定义栅接触结构...
压接SiCMOSFET的工艺流程如图7所示,工艺步骤简述如下: 第1步:在上基板上焊接顶板 第2步:将上基板和中介层主体插入外壳,将定位销插入定位孔 第3步:将绒球键插入中介层主体 第4步:将SiCMOSFET裸片安装在底板上 第5步:将底板插入外壳,使定位销插入中介层上的定位孔底板 ...
接下来,沉积是 MOSFET 工艺流程的第二步。沉积是指在硅片表 面沉积一层氧化物。这一步骤可以使用化学气相沉积或物理气相沉 积等技术。氧化物层可以保护硅片表面,防止后续步骤中的蚀刻损 伤硅片。 第三步是光刻。光刻是一种制造微型结构的技术。在光刻过程中, 将光敏树脂涂在硅片表面,然后使用光刻机将光敏树脂暴露...