图2 MOSFET制备流程图 MOSFET的制备方法如图2所示。首先在衬底上通过外延生长形成漂移层，并在漂移层中通过刻蚀工艺设置栅槽，然后在漂移层中以倾斜离子注入的方式形成阱区，并在漂移层顶部设置源极区以及接触区，紧接着在栅槽的底面以及侧壁上形成栅极氧化层，最后在栅槽中设置栅极，在衬底下方设置漏极，形成最终...
图2 MOSFET制备流程图 MOSFET的制备方法如图2所示。首先在衬底上通过外延生长形成漂移层,并在漂移层中通过刻蚀工艺设置栅槽,然后在漂移层中以倾斜离子注入的方式形成阱区,并在漂移层顶部设置源极区以及接触区,紧接着在栅槽的底面以及侧壁上形成栅极氧化层,最后在栅槽中设置栅极,在衬底下方设置漏极,形成最终的MOSFE...
图1 SiC复合衬底制备流程图 （a）离子注入；（b）表面活化处理；（c）键合过程；（d）退火剥离及晶圆回收；（e）最终优化后处理；（f）单片高质量SiC产出多片复合衬底晶圆。基于以上制备流程，团队实现了6英寸及8英寸的SiC复合衬底的制备，如图2（a、b）所示，制备的SiC复合晶圆厚度平均值346 μm，TTV为1.075...
如图1所示为复合衬底的制备工艺流程,首先对高质量SiC进行离子注入,而后经过表面处理后与低成本SiC键合在一起,经过退火剥离后将高质量SiC薄膜与SiC衬底结合在一起。通过回收剥离后的高质量SiC反复利用,实现单片SiC成本的大幅下降。目前技术水平预期可以将SiC晶圆回收循环利用10次,预期将使8英寸单片制造成本降低40%,提高...
典型的,在800V以上的新能源汽车应用中,SiC MOSFET与传统的硅基相比具有更高的电子迁移率、更高的开关速度更低的开关损耗及更小的器件体积,性能优势明显,但目前瓶颈则在于SiC功率器件较传统Si器件的成本高昂,解决的关键则在于降低衬底成本。通常,采用更大尺寸晶圆能够大幅度降低单个器件的成本,然而当晶圆从6英寸扩径...
图五 外延缺陷 下图是一个完整的MOSFET active cell，这里就包含了衬底的缺陷，然后衍生到外延的缺陷。图六 碳化硅MOSFET缺陷剖面图 - 衬底外延缺陷 总结一下，由于衬底的缺陷不能在外延层去把它消除，所以我们会采取一定的策略，让致命缺陷恶化，然后把它们筛选出来，这样的话在外延这一个流程中就要求衬底的缺陷具有...
通过好的设计和先进的工艺技术确保碳化硅MOSFET性能优势在设备中得到最大程度发挥。 1)双面散热技术 双面散热的功率模块封装结构可以通过取消金属键合线,增加缓冲层并对缓冲层的形状、材料、尺寸的优化,可减小杂散电感,增加散热途径,降低功率模块中芯片所承受的长时间高温危害,提高模块的使用寿命。
典型的,在800V以上的新能源汽车应用中,SiC MOSFET与传统的硅基相比具有更高的电子迁移率、更高的开关速度更低的开关损耗及更小的器件体积,性能优势明显,但目前瓶颈则在于SiC功率器件较传统Si器件的成本高昂,解决的关键则在于降低衬底成本。通常,采用更大尺寸晶圆能够大幅度降低单个器件的成本,然而当晶圆从6英寸扩径...
Si3N4-AMB基板制备流程 AMB工艺根据钎焊料不同,目前主要分为放置银铜钛焊片和印刷银铜钛焊膏两种。 以后者为例,工艺流程如下图所示。首先将Ag、Cu、Ti元素直接以粉末形式混合制成浆料,采用丝网印刷技术将Ag-Cu-Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上,再利用热压技术将铜箔层压在焊料上,最后通过烧结、光刻、腐蚀及镀Ni工...
Si3N4-AMB基板制备流程 AMB工艺根据钎焊料不同,目前主要分为放置银铜钛焊片和印刷银铜钛焊膏两种。 以后者为例,工艺流程如下图所示。首先将Ag、Cu、Ti元素直接以粉末形式混合制成浆料,采用丝网印刷技术将Ag-Cu-Ti焊料印刷在氮化硅陶瓷基板上,再利用热压技术将铜箔层压在焊料上,最后通过烧结、光刻、腐蚀及镀Ni工...