进一步的,假设所需要驱动的碳化硅MOSFET并联个数为N,每一个MOSFET的门级电荷为Qg,其门级驱动电压为VGS,则总的驱动功率为freq×N×VGS×Qg,我们可以据此进行驱动损耗的估算。 在高压及大功率应用下,一般碳化硅MOSFET的漏极的电压DV/DT会很大,可以达到150V/nS,因此对于驱动器,希望它能够驱动更高频率,以最大电流驱...
相比传统的硅MOSFET，SiC MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiC MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。本文将围绕SiC MOSFET的...
相比传统的硅MOSFET,SiC MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域,SiC MOSFET(碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管)凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能,SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而,SiC MOSFET的独特器件特性,也意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。 本文将围绕SiC MOSFET的驱动...
此外，NCP51705 具备使用最少的外部组件设计可靠的 SiC MOSFET 栅极驱动电路所必需的几个独特特性（在 TND6237/D 中的分立 SIC 栅极驱动部分的开头列出）。NCP51705 独特特性的优点将在下一节详细介绍。过电流保护 − DESAT NCP51705 DESAT 功能的实现只需使用两个外部组件。如图 33 所示，通过 DESAT 引脚的 R1...
SiC MOSFET 的最大/最小 VGS 是不对称的，在 +25 V/-10 V 范围附近。栅极驱动电路必须能够提供接近 35 V 的全范围（即 VGS 摆幅）电压，以便充分利用 SiC 的性能优势。大多数 SiC MOSFET 在 -5 V > VGS > 20 V 的驱动电压下表现最佳。为了覆盖更多的 SiC MOSFET，栅极驱动电路应能承受 VDD = 25 ...
控制稳定性方面，SiC MOSFET跨导与结电容有着很强的非线性特征，并且电压源驱动下的SiC MOSFET的响应特性是复杂的高阶数学方程。同时，阈值切换型AGD电路本质上属于一种非线性的闭环控制，无法使用全闭环型AGD中伯德图、根轨迹等分析工具来研究控制系统的稳定性。目前，对于SiC MOSFET开关暂态的建模工作仍在进行之中。
SiC MOSFET 工作在低VGS 下可能会导致热应力或由于高RDS 而可能导致故障。与低增益相关的其他影响会直接影响几个重要的动态开关特性，在设计适当的栅极驱动电路时必须考虑这些影响，包括导通电阻、栅极电荷（米勒平台）和过电流（DESAT）保护。导通电阻 在低VGS 时，一些SiC 器件的导通电阻与结温特性之间的关系曲线看...
其在高速运算、能源效率和高频通信等领域展现出巨大潜力。为了确保其在实际应用中达到预期效果,全面评估和测试其性能变得尤为重要。本文将探讨SiC MOSFET的特点及其对闸极驱动电路的要求,并提供onsemi安森美半导体的SiC MOSFET驱动方案,为研发工程师提供更多设计选择。
栅极驱动电路是控制SiC MOSFET开关动作的核心部分，其性能直接影响到MOSFET的工作效率和可靠性。一个基本的栅极驱动电路包括栅极信号（VG）、SiC MOSFET内部的栅极线路内阻（RG_INT）、封装的源极电感量（LSOURCE）、栅极电路局部产生的电感量（LTRACE）以及外加栅极电阻（RG_EXT）。在等效电路图中，栅极电流（IG）和...
SiC MOSFET 驱动电路的设计一般重点体现其驱动电压和快速性上。 (SiC MOSFET驱动电路图) 1. 驱动电压:SiC MOSFET的门极驱动电压通常比Si MOSFET高,驱动电压一般为-5~+24V,然而,开启电压仅仅只有2.5V,只有电压达到18~20V这个区间才能使SiC MOSFET完全开通。