多管并联SiC MOSFET驱动电路设计.pdf,第51卷第2期 电力电子技术 Vo1.51.No.2 2017年 2月 PowerElectronics February2017 多管并联 SiCMOSFET驱动电路设计 彭咏龙 ,史孟 ,李亚斌 ,柴艳鹏 (1.华北 电力大学,河北 保定 071003;2.保定四方三伊电气有限公司,河北 保
多管并联SiC MOSFET驱动电路设计
SiC MOSFET第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。 1、要求驱动器具有更高的门极峰值输出电流、更高的dv/dt耐受能力。 2、要求驱动器的传播延迟很低且抖动量...
设计出一款简单实用的驱动电路,解决了多管并联的SiC MOSFET.驱动这一难题.另外,搭建了双脉冲实验电路对驱动电路进行了相关测试,分析确定了最佳门极电阻的参数和缓冲吸收电路.最后,将所设计驱动电路应用于50 kW/800 kHz的多管并联感应加热电源,进一步验证了所设计驱动电路适用于高频,大功率场合,具备一定的工业应用价值...
1.多管并联SiC MOSFET驱动电路设计2.多管并联SiC MOSFET驱动电路串扰抑制方法3.仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性4.基于动态栅极电阻的SiC MOSFET主动并联均流方法5.SiC MOSFET功率模块的并联均流研究 因版权原因,仅展示原文概要,查看原文内容请购买©...
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4、2、采用驱动芯片u2采每一路电流,每个sic mosfet单独控制,例如中国专利公开号cn113810035a公开的一种碳化硅mosfet多管并联的控制方法及电路;缺点是硬件设计复杂,mcu芯片要求高,控制算法复杂,成本高昂,不利于推广。 5、3、检测每个sic mosfet的温度,温度低的采用pwm进行补偿,温度高的pwm保持的方法去修正,例如中国专利...