SiC MOSFET的栅极通过驱动芯片内部集成上拉开关管接到芯片电源(VDD1)或者下拉开关管接到芯片地(PGND-HS)。 △图2:负压关断驱动电路(方案一) D4的稳压值选择取决于驱动负压大小。安徽芯塔电子第二代SiC MOSFET典型关断负压为-5V,因此D4稳压值的选取5V,例如VISHAY PTV4.7B(D0-220A封装,Vz=5V)。根据稳压管推荐...
换而言之,负压VDD2可以在PWM驱动信号使能之前建。因此,SiC MOSFET的每个开关周期都是负压关断,驱动可靠。 图3的驱动电路方案二是利用电容C1实现负压关断。C1比SiC MOSFET输入电容要大很多,以确保最长的关断时间内,C1在放电的情况下仍旧可以提供足够的负压。只有在PWM驱动信号使能条件下,VDD1通过驱动芯片内部上拉管子给...
方案一是如图2所示的设计,其中VDD1电源通过电阻R1//R2给电容C8//C9充电。当电容两端的电压快速上升到D4的反向击穿电压后,D4的两端电压保持稳定,负压VDD2也随之建立。此时,SiC MOSFET的栅极通过驱动芯片内部集成的上拉开关管连接到芯片电源(VDD1)或关断电源(PGND-HS)。 在某种应用场景下(如辅助电源无闭环电压),...
SiC MOSFET的栅极通过驱动芯片内部集成的上拉开关管连接到芯片电源(VDD1)或下拉开关管连接到芯片地(PGND-HS)。 第二种方案中的驱动电路如图3所示。在这个设计中,驱动芯片通过调整输入电源电压VDD1的幅值来实现对SiC MOSFET的驱动和控制。驱动芯片的6脚输出PWM驱动信号,以控制SiC MOSFET的开通和关断。R6作为开通电阻,...
如果单纯从抑制寄生导通的角度看,对于一个设计良好的电路,英飞凌SiC MOSFET是不需要用负压关断的。但是负压对关断损耗有影响。 SiC MOSFET的Vgs负压对Rdson和Esw的影响 Vgs负压不同,其Rdson不变 Vgs负压越低,其Esw越低(Eoff) 同样,我们看下不同Vgs负压的仿真结果,如图4和图5所示: ...
一、 碳化硅MOSFET隔离驱动要求 碳化硅MOSFET一般用于高压,大功率电源应用,这种电源由于系统要求需要做原副边的隔离,所以通过变压器从一边到另一边传递能量,而控制器一般放在其中一边,比如副边,驱动原边的碳化硅MOSFET的时候就需要通过隔离方式的驱动将副边控制器发出的驱动信号,传递到原边,去驱动它。 采用隔离方式,可以...
(54)发明名称具有负压关断 和串扰 抑 制功能的 SiC MOSFET栅极驱动电路(57)摘要本发明公开了一种具有负压关断和串扰抑制功能的SiC MOSFET栅极驱动电路,第一稳压管与第一电容并联后的前端与前级的功率推挽电路T 1 、T 2 输出端连接,第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的负极、第二二极管的正极、第二电阻的...
图一:BM6104FV-C内部功能框图 图二:IXDD609 内部功能框图 为避免开关管高速开关时米勒效应对栅极电压的影响,笔者在设计中采用负压关断的栅极有源箝位电路,通过辅助管连接在驱动电路栅极和负电源之间。最终设计草图如图三所示: 图三:SiC MOSFET驱动电路设计(无DESAT功能)发送...
上图可以看出由于上管达不到满幅VCC所以导致关断负压不够负，开通正压不够正，提高VCC电压会导致下管负压太大又会有击穿SiC驱动芯片的风险，运用自举电路需要权衡这方面的问题。综上，SIC MOSFET驱动也可以用自举电路驱动一个半桥，从而减少一路电源，以节省成本。但在实现自举电路的时候也会有一些问题需要注意，具体...