进一步的,假设所需要驱动的碳化硅MOSFET并联个数为N,每一个MOSFET的门级电荷为Qg,其门级驱动电压为VGS,则总的驱动功率为freq×N×VGS×Qg,我们可以据此进行驱动损耗的估算。 在高压及大功率应用下,一般碳化硅MOSFET的漏极的电压DV/DT会很大,可以达到150V/nS,因此对于驱动器,希望它能够驱动更高频率,以最大电流驱...
(图一) 系说明以半桥Half Bridge (HB) 为拓朴并使用SiC MOS为功率元件的电路,主要功耗(Total Power Loss) 是由导通损失(Conduction Losses) 及切换损失(Switching Losses)所组成,其中MOSFET的导通损失与MOSFET导通电阻Rds_on有关,切换损失是与MOSFET 的Qg , Qrr , Ciss , Rg , Eon , Eoff等参数有关。 图1...
随着SiC MOSFET的推广，其开关暂态过程中的超调、振荡以及电磁干扰问题越来越受到人们的重视。有源栅极驱动（AGD）电路作为一种新型驱动电路，已被广泛应用于SiC MOSFET开关轨迹的优化控制。东南大学电气工程学院的研究人员王宁、张建忠，在2022年第10期《电工技术学报》上撰文，分析AGD电路的工作原理，给出不同驱动参数对...
SiC MOSFET则两全其美，可实现在高压下的高频开关。然而，SiC MOSFET 的独特器件特性意味着它们对栅极驱动电路有特殊的要求。了解这些特性后，设计人员就可以选择能够提高器件可靠性和整体开关性能的栅极驱动器。在这篇文章中，我们讨论了SiC MOSFET 器件的特点以及它们对栅极驱动电路的要求，然后介绍了一种能够解决这些...
综上，SIC MOSFET驱动也可以用自举电路驱动一个半桥，从而减少一路电源，以节省成本。但在实现自举电路的时候也会有一些问题需要注意，具体总结如下 1、由于上管在导通时需要通过自举电容放电，为了保证上端的正常开关，需要调整PWM，为自举电容预留充电时间 2、关于Dboot的选择，由于Cboot上为瞬间充电，需要考虑Dboot...
这可是半桥模块里的主力军。一般咱用SiC MOSFET(碳化硅金属 氧化物 半导体场效应晶体管)或者SiC IGBT(碳化硅绝缘栅双极型晶体管)。这两个就像是电路里的大力士,负责控制电流的通断。它们的栅极就像个小指挥棒,给个合适的电压信号,就能让它们乖乖听话,该导通的时候导通,该断开的时候断开。 在连接的时候,要特别注意它...
串扰问题(Cross talk)半桥电路中,SiC MOSFET芯片开关动作引起另一个SiC MOSFET芯片开关的栅源极电压波动的问题,分为正向串扰和负向串扰。 以某款1200V/14mΩ SiC MOSFET芯片为例,栅极开通控制电压为+18V,栅极关断电压为-5V。如图1所示,当半桥电路发生正向串扰时,被测SiC MOSFET(以下简称“被测管”)的栅极电压...
根据第一步明确的设计目标和要求,选择适合的驱动器件。需要综合考虑驱动器件的性能参数、可靠性、成本等因素。3. 确定驱动电路拓扑根据应用场景和设计目标,选择合适的驱动电路拓扑。常见的SiC MOSFET驱动电路拓扑包括:单端正激式、半桥式、全桥式等。4. 进行电路设计与仿真根据选定的驱动电路拓扑,利用电路设计软件进行...
图8:MOSFET 半桥中出现的米勒效应 可以通过两种方式避免米勒效应。一种是用于保持 MOSFET 关闭的负电源 (VEE)。第二个是有源米勒钳位,如图 10 所示。该解决方案包括添加第三个内部 MOSFET (M3),连接到驱动器电路中的最低电位。当 MOSFET 关闭时,钳位开关会在栅极电压降至某个水平以下时激活,以确保 MOSFET 在任...
IPD的组成部分包括一个SiC MOSFET半桥(在Vgs = 18 V且Tj = 25°C条件下,其典型通态电阻为257 mΩ)和一个基于绝缘体上硅(SOI)技术的栅极驱动器。相比于标准器件的600 V阻断电压,其最大阻断电压已增至650 V,可在电网电压发生波动时提供更大耐压余量。英飞凌SOI技术用于栅极驱动器的优势在于高开关频率[3]、...