最后一个是隔离电源,负责给光耦隔离电路和功率放大电路提供驱动电压,也负责提供SIC的开通关断电压的参考值。这里采用的隔离电源芯片是QA01C,输入为+15V,输出为+20V,0V,-4V 光耦隔离电路和功率放大电路原理图 电路的优点: 1、用二级管将栅极开通关断电阻分开,能够通过实验分别调整开通关断电阻的阻值,获得更好的开通关...
碳化硅MOSFET一般用于高压,大功率电源应用,这种电源由于系统要求需要做原副边的隔离,所以通过变压器从一边到另一边传递能量,而控制器一般放在其中一边,比如副边,驱动原边的碳化硅MOSFET的时候就需要通过隔离方式的驱动将副边控制器发出的驱动信号,传递到原边,去驱动它。 采用隔离方式,可以对原边的高压电路的地和副边控...
GP1端口对由IRL540功率MOSFET组成的预驱动器进行控制——这特别适用于使用MCU的应用,因为此时供给“栅极”的能量非常低。第一个MOSFET的“漏极”端子对第二个SiC MOSFET进行驱动,对负载(电阻性或电感性)上的电流进行开关。两个快速二极管可消除感性负载产生的过电压。也可以不使用它们,因为SiC MOSFET受到了很好的保护...
就功率传输而言,使用SiC MOSFET时效率非常高。这个效率通常可以认为不错,但不幸的是,预驱动器的存在会使其降低。图9给出了电路总效率的曲线图,具体取决于施加到输出的负载。为了提高电路效率,可以尝试略微提高MOSFET IRL540漏极电阻R7...
△图1:桥臂电路中栅极串扰示意图 另外,SiC MOSFET的开启阈值电压随温度的升高而下降。因此,在栅极串扰作用下,高温下器件栅极串扰电压造成桥臂直通的风险进一步加大。因此,为防止SiC MOSFET的误导通,通常需要负压驱动。但是,目前大部分驱动芯片不支持负压驱动。本文将推荐两种驱动电路方案,基于单电源驱动芯片就可以实现负压...
基于上述分析,本文提出一种基于SiC MOSFET开关瞬态反馈的有源栅极电流主动调节电路,如图4所示,共分为以下四个部分。 图4 有源驱动电路原理 Fig.4 Schematic diagram of the proposed AGD 1)开通电流上升状态检测电路,由dId/dt检测电路和开通过程栅极电压Vgs-on电压检测电路构成。
SiC MOSFET由于其出色的高温特性和高击穿电压，特别适用于高温高压应用，如电动汽车、电力转换、太阳能逆变器以及航空航天领域。SiC MOSFET可以在高温下稳定工作，且能够处理高电压电流。SiC MOSFET 驱动电路的设计一般重点体现其驱动电压和快速性上。（SiC MOSFET驱动电路图）驱动电压：SiC MOSFET的门极驱动电压通常比Si ...
本文SiC MOSFET驱动常规自举电路的注意事项。图1：自举电路工作原理：如图1，当下管导通时候，电源通过Rboot、Dboot对自举电容Cboot进行充电，当下管关断后，Cboot提供电源对上管进行驱动。Vgsh为上管驱动波形、Vgsl为下管驱动波形、Vgshin为上管输入侧驱动波形。该结果为测试板上电状态下发送一个双脉冲驱动下管，...
SiC MOSFET的桥式结构及栅极驱动电路-下面给出的电路图是在桥式结构中使用SiC MOSFET时最简单的同步式boost电路。该电路中使用的SiC MOSFET的高边(HS)和低边(LS)是交替导通的,为了防止HS和LS同时导通,设置了两个SiC MOSFET均为OFF的死区时间。右下方的波形表示其门极