2、SiC MOSFET应用本就多在高压高频大电流领域,电路中寄生参数产生尖峰毛刺,造成瞬时过压或开关损耗,此外沟槽SiC MOSFET不具备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力,需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路,更多的外部电路导致过压保护延迟加大,同时实际开关过程依然容易被击穿,引发器件可靠性问题;...
目前英飞凌1700V SiC MOSFET主要面向应用是辅助电源,12V驱动电压主要是为了和大部分反激式控制器兼容。也可以采用15V的驱动电压主,如果用15V驱动,导通损耗会更低。 IMBF170R1K0M1数据手册:https://www.infineon.com/cms/cn/product/power/mosfet/silicon-carbide/discretes/imbf170r1k0m1/?utm_source=zhihu&utm_m...
SiC MOSFET 是一种易于驱动、驱动功率较少的常闭型、电压驱动型的开关器件。基本的驱动方法和IGBT 以及Si MOSFET一样。推荐的驱动门极电压，ON 侧时为+18V 左右，OFF 侧时为0V。在要求高抗干扰性和快速开关的情况下，也可以施加V 左右的负电压。当驱动大电流器件和功率模块时，推荐采用缓冲电路。10 体二极...
碳化硅MOSFET在许多领域表现出成熟的应用，特别是在电力电子领域，这些领域的开关特性使其特别适用于众多新的电子电路设计。SiC MOSFET与传统的硅MOSFET类似，但有一些设计注意事项需要考虑。以下是SiC MOSFET的一些关键优势：1. 高压击穿：碳化硅的击穿电场强度是硅的10倍，因此可以制造更小、电压更高的SiC MOSFET。这...
本节将着重介绍SiC MOSFET模块的电气特性,具体分析SiC MOSFET模块的静态特性。下面对SiC MOSFET模块主要电参数进行解释说明。 2.2.1.漏源击穿电压BVDS 漏源击穿电压BVDS定义为栅源极短路时,漏源两极之间的最大阻断电压,无论是动态电压还是静态电压,工作电压不能超过此值,否则SiC MOSFET模块会因过压而失效。SiC MOSFET...
第三代电力电子半导体SiC MOSFET：聚焦高效驱动方案 相比传统的硅MOSFET，SiC MOSFET可实现在高压下的高频开关。新能源、电动汽车、工业自动化等领域，SiC MOSFET（碳化硅-金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借高频、高功率、低损耗等卓越性能，SiC MOSFET驱动方案备受关注。然而，SiC MOSFET的独特器件特性，也意味着它们对...
SiC MOSFET 通常适用于电压范围 650 V < BVDSS <1.7 kV，主要集中在 1.2 kV 及以上。在 650 V 的较低范围内，传统的硅 MOSFET 和 GaN 优于 SiC。但是，考虑使用较低电压的 SiC MOSFET 的原因之一可能是利用其出色的热特性。尽管 SiC MOSFET 的动态开关行为与标准硅 MOSFET 非常相似，但由于其器件特性，...
2.输入和输出隔离:由于SiC MOSFET常用于功率开关应用,输入和输出之间需要隔离变压器,以确保开关信号可以通过输入端进行。 3.电磁干扰(EMI):SiC MOSFET的高开关速度会产生电磁干扰,电子电路设计需要考虑这一点。 4.额外的源极引脚:SiC MOSFET中的一些器件具有额外的源极引脚,用于降低杂散电感和电阻的影响,确保输入电路...
Active Cell 开关单元 – SiC MOSFET的核心 开关单元是SiC MOSFET中一个非常重要的部分。我们可以把MOSFET（硅和碳化硅）根据它们的栅极结构分成两类：平面结构和沟槽结构。它们的示意图如图三所示。如果从结构上来说硅和碳化硅MOSFET是一样的，但是从制造工艺和设计上来说，由于碳化硅材料和硅材料的特性导致它们要考虑...