罗马尼亚G. Chindris等提出了一种基于PSpice的SiC MOSFET物理模型[11],从器件内部机理映射至外部特性,在软件自带MOSFET内核的基础上进行了改进;瑞士G. Kampitsis等在Simulink环境建立了SiC MOSFET模型[12],其实质也是基于自带MOSFET模型构建外围补偿电路。文献[13]的SiC MOSFET建模也是基于PSpice自带的MOSFET模型进行改进...
因此,该文首先对SiC MOSFET开关特性进行深入分析,揭示栅极电流与电流电压过冲的数学关系;然后提出一种变栅极电流的新型有源驱动电路;通过对SiC MOSFET开关瞬态的漏极电流变化率d/d、漏-源极电压变换率dVds/dt以及栅极电压Vgs的直接检测与反馈,在开关过程的电流和电压上升阶段对栅极电流进行主动调节,抑制电流电压过冲与...
摘要由于传统驱动下碳化硅(SiC)MOSFET受高开关速度特性及寄生参数影响,桥臂串 扰现象更加严重,而现有抑制串扰驱动电路又往往会增加开关损耗、开关延时和控制复杂程度, 因此本文结合驱动阻抗控制与负压关断的串扰抑制方法,提出一种改进门极驱动电路。首先,阐 述串扰现象产生原理及其典型抑制方法。其次,在负压关断前提下,基...
In order to realize SiC-MOSFETs capable of high speed switching, we numerically evaluated the electric field induced in SiC-MOSFETs during switching using an equivalent circuit model. Based on the evaluation, we designed a SiC-MOSFET, which successfully demonstrated high speed switching with a dV/...
Keywords:Crosstalk suppression, SiC MOSFET, resonant auxiliary drive circuit, passive circuit 0引言 随着逆变器工作频率的不断增加,宽禁带半导体材料SiC、GaN以其更低的导通电阻、更低的结温、更好的稳定性以及更高的开关频率,成为能替代Si材料的一种极具前景的半导体材料。由于SiC 的这些关键优势,使用SiC MOSFET...
摘要：针对SiC-MOSFET开关模块开关速度快、开关电压尖峰高、缓冲吸收电路参数难以确定的问题，文章提出一种RC缓冲吸收电路参数快速优化设计方法。该方法基于包含寄生参数的电路分析模型并利用双脉冲电路，通过不同的缓冲吸收电路参数曲线来确定电路参数的优化区间并选取最优的缓冲吸收电路参数。仿真和实验结果表明，采用该方法...
(a)Structure of the SiC MOSFET,(b)Simplified equivalent circuit of the SiC MOSFET,(c)Typical switching process under an inductive load The switching process of power MOSFET based on an inductive load circuit is illustrated in Fig.1c, which shows the four phases during turn-on and turn-off....
CoolSiC™ MOSFET Bill of material (BOM) 1EDI60I12AF ボード&デザイン REF-DR3KIMBGSICMA Status: active Infineon Read MoreBuy Online The REF-DR3KIMBGSICMA is a reference design which contains two PCBs, including driver circuit and a three-phase inverter for motor-drive application. ...
MOSFET内核用来表征SiC MOSFET的静态特性,包括输出特性曲线VDS-ID和转移特性曲线VGS-ID。其可以看作是受栅源电压VGS、漏源电压VDS和结温TJ控制的电流源ID,即 (1) 根据式(1),MOSFET内核等效为受控电流源,如图3所示。 图3 MOSFET内核等效电路 Fig.3 MOSFET core equivalent circuit ...
摘要由于SiC MOSFET在高速开关电源中的广泛应用,导致严重的电磁干扰(EMI)问题,因此EMI滤波器的设计成为研究热点。为了满足电磁兼容(EMC)标准,无源EMI滤波器可以有效地降低DC-DC变换器产生的电磁干扰,但是无源磁性器件的体积较大,不利于提高DC-DC变换器的功率密度。该文分析DC-DC变换器的电磁干扰源和噪声源阻抗特性,建...