大功率SIC MOSFET逆变器驱动技术的详解; 驱动电路(Drive Circuit),位于主电路和控制电路之间,用来对控制电路的信号进行放大的中间电路(即放大控制电路的信号使其能够驱动功率晶体管),称为驱动电路。 驱动电路的作用:将控制电路输出的PWM脉冲放大到足以驱动功率晶体管—开关功率放大作用。 驱动电路的基本任务,就是将信息...
桥臂电路上下开关管在高速开关动作时,上下管之间的串扰会变的比较严重。虽然Si器件均有不同程度的桥臂串扰问题,由于SiC MOSFET的栅极阈值电压和负压承受能力均较低,且开关速度更快,因而更易受到桥臂串扰的影响。碳化硅器件C2M0025120D 的阈值电压在25˚C时仅为2.6V,随着器件温度的升高还会降低,最大负电压也仅为-...
与上述方法相比,有源驱动电路(Active Gate Driver, AGD)是在常规驱动电路(Conventional Gate Driver, CGD)基础上增加由有源器件构成的电路,在SiC MOSFET开关过程的特定阶段改变驱动电路的结构,从而对SiC MOSFET的开关性能进行优化[14],受到了国内外学者的广泛研究,相继提出了变栅极电阻[15-16]、变栅极电压[17-18]...
高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻的诸多改进。 CoolSiC™产品 英飞凌的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性和最佳可靠性。该系列产品采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。CoolSiC™ MOSFET系列包含碳化硅MOSFET分立器件和MOSFET功率模块。其...
integrated chip based on high temperature also has the ability to work and reduces the parasitic line parameter; using auxiliary heat BJT SiC MOSFET tube and tube complement is turned on and switch off access to the parallel capacitor in the driver circuit, suppression arm circuit crosstalk ...
关键词:SiCMOSFET;开关特性;驱动电路;双脉冲实验中图分类号:TM13 文献标识码:B 文章编号:1001-1390(2015)11-0074-05Design of high power SiC MOSFET driver circuitPengYonglong,LiRongrong,LiYabin(School of Electrical and Electronic Engineering, North China Electric PowerUniversity, Baoding 071003, Hebei, ...
本课题以美国CO N CEPT公司的SIC 1182K为驱动电路主芯片，以德国英飞凌公司的 大功率 SiC MOSFET模块 FF6MR12W2M1_B11 为驱动控制目标，设计了满足使用要求的SiC MOSFET驱动电路。1驱动电路设计关键 材料特性差异决定了功率器件工作需求有 所区别，用Si M O S F E T驱动电路来驱动SiC M O SFET是不合理的「...
in order to minimum converter volumes.A driv-er circuit and double-pulse circuit for SiC MOSFET according to SiC MOSFET is designed,then based on thissetupmeasured switchingtime,switching loss and further investigatedon the influence of different driver resistance toswitching time and switching loss....
大功率 SiC MOSFET 驱动电路设计.pdf,52 11 Vol52 No11 2015 6 10 Electrical Measurement Instrumentation Jun10 2015 Design of high power SiC MOSFET driver circuit School of Electrical and Electronic Engineering North China Electric Power University Baoding 0
高压CoolSiC™ MOSFET技术在反向恢复特性方面也实现了令人印象深刻的诸多改进。 CoolSiC™产品 英飞凌的碳化硅CoolSiC™ MOSFET具有高效节能特性和最佳可靠性。该系列产品采用分立封装,还提供650 V、1200 V和1700 V电压等级的模块。CoolSiC™ MOSFET系列包含碳化硅MOSFET分立器件和MOSFET功率模块。其中,SiC MOSFET...