对于多数载流子是电子的N沟道SiC MOSFET而言,在栅极加正偏压时,SiC/SiO2界面附近的电荷捕获可移动载流子,从而引起阈值电压的正向漂移;当在栅极施加负偏压应力时,界面和近界面陷阱中的电子会被释放,产生快速恢复解陷的特性,从而使阈值电压的漂移恢复。N沟道SiC MOSFET器件栅极电压向上扫描测得的阈值电压会比栅极电压向下...
［2］ NeudeckPG，ＯkoｊieRS，ChenLY．HighteMperatureelectronics-aroleforwidebandgapseMiconductors［J］．ProcoftheIEEE，2OO6，9O（6）：1O65－1O76．［3］ HudginsJ．WideandnarrowbandgapseMiconductorsforpowerelectronics：Anewvaluation［J］．JournalofElectronicMaterial，2OO3，32（6）：471－477．［4］ ...
因此,在SiC MOSFET的使用寿命中,它经常暴露于大量的双极栅极开关事件。 基于SiC MOSFET的典型特性,当该器件被部署在实际应用中时,以脉冲栅极模式而不是直流模式对其施加应力,以触发决定该晶体管中VTH不稳定性的相同退化机制,是非常合适的。我们团队以及在中国独立工作的学术研究人员最近的发现强调了这一点,即与静态栅...
Lately, Silicon Carbide (SiC) technology has been introduced as a promising way for power losses reduction in power electronics applications. This technology offers several advantages compared to classic Si-MOSFET and IGBT static switches. Power losses modeling is very important in design and ...
目前利用碳化硅材料制备的SBD和MOSFET已经实现商品化,并广泛应用于航空航天、军事装备、新能源汽车、超高压输变电、智能电网、高速轨道交通等领域。因此近年来全球在碳化硅材料生长和器件制备投入的研发费用和生产规模迅速增长,对碳化硅衬底提出了迫切需要,大尺寸高质量碳化硅单晶生长和碳化硅器件制备一直是国际上的研究热点。本...
[摘要] 由于高开关速度和低通态电阻,碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的开关过程易受杂散参数的影响,表现出较强的过电流、过电压和电流电压振荡,影响 SiC MOSFET 的高效、高质、安全应用和潜能充分利用。半桥电路为逆变器、PWM 整流器、多电平变流器等众多电力电子电路的组成单元。该文以SiC MOSFET...
LS(低侧)侧SiC MOSFET在Turn-on和Turn-off时的VDS和ID变化方式不同。在讨论SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压(VGS)的影响时,需要考虑包括SiC
DOI :10.13334/j.0258-8013.pcsee.190366 文章编号:0258-8013 (2019) 19-5666-08 中图分类号:TM 46 抑制瞬态电压电流尖峰和振荡的电流注入型 SiC MOSFET 有源驱动方法研究 冯超,李虹 * ,蒋艳锋,赵星冉,杨志昌 (北京交通大学电气工程学院,北京市 海淀区 100044) Research on Current Injection Active Drive ...
Beyond power conversion: SiC JFET for protection applications > Possible ways of using SiC transistors for protection > Identified projects > SiC JFETs for protection applications SiC devices, module and stack > SiC power devices > SiC MOSFET ...
SiC MOSFET是单极性器件，即只有电子参与导电。沟道开启后电流立刻建立，DS端压降随电流上升而线性上升，...