Lately, Silicon Carbide (SiC) technology has been introduced as a promising way for power losses reduction in power electronics applications. This technology offers several advantages compared to classic Si-MOSFET and IGBT static switches. Power losses modeling is very important in design and ...
因此,在SiC MOSFET的使用寿命中,它经常暴露于大量的双极栅极开关事件。 基于SiC MOSFET的典型特性,当该器件被部署在实际应用中时,以脉冲栅极模式而不是直流模式对其施加应力,以触发决定该晶体管中VTH不稳定性的相同退化机制,是非常合适的。我们团队以及在中国独立工作的学术研究人员最近的发现强调了这一点,即与静态栅...
对于多数载流子是电子的N沟道SiC MOSFET而言,在栅极加正偏压时,SiC/SiO2界面附近的电荷捕获可移动载流子,从而引起阈值电压的正向漂移;当在栅极施加负偏压应力时,界面和近界面陷阱中的电子会被释放,产生快速恢复解陷的特性,从而使阈值电压的漂移恢复。N沟道SiC MOSFET器件栅极电压向上扫描测得的阈值电压会比栅极电压向下...
图 5 包含与图 1 相同的理论 SiC 单极极限,以及相同的 SiC MOSFET 数据。添加到此图表的是空心圆圈,这是在减去估计的封装电阻后重新计算的同类最佳 MOSFET的测试性能,并且仅使用芯片的有源区的面积。 图5:包含PGC Consultancy 的 SiC MOSFET 模型中的电阻贡献的单极极限图 图5 中还添加了 PGC Consultancy 对 ...
因此,改进和优化碳化硅MOSFET驱动电路以及设计研究碳化硅MOSFET的双向开关具有突出的理论和实际意义。针对这一实际问题,本文对碳化硅MOSFET及其相关特性进行了研究,并根据综合比较的特点和筛选出的碳化硅MOSFET芯片进行了实际实验。并根据制造商提供的相关数据开发出三种相应的驱动电路(增强型栅极驱动电路,为了隔离DC- DC转换器...
内容提示: 大功率 SiCMOSFET 驱动电路设计彭咏龙,李荣荣,李亚斌(华北电力大学 电气与电子工程学院,河北 保定 071003)摘要:在实际工程应用的基础上,针对50kW/1MHz 的高频感应加热大功率 SiCMOSFET 电路要求及 SiCMOS-FET 开关特性进行开发研究。 通过对 SiCMOSFET 的开通过程特性进行详细研究,得出使其可靠、安全驱动...
功率半导体大致可分为功率半导体分立器件(Power Discrete)(包括功率模块)和功率半导体集成电路(Power IC)两大类 。 按照器件结构,现有的功率半导体分立器件可分二极管、功率晶体管、晶闸管等,其中功率晶体管分为双极性结型晶体 管(BJT)、结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(...
Silicon carbide diodes in DFN packages and SiC MOSFET in TOLL packages are supported. More Through continuous innovation and improvement, we will lead the development and manufacturing of silicon carbide power electronic devices in China. More
［2］ NeudeckPG，ＯkoｊieRS，ChenLY．HighteMperatureelectronics-aroleforwidebandgapseMiconductors［J］．ProcoftheIEEE，2OO6，9O（6）：1O65－1O76．［3］ HudginsJ．WideandnarrowbandgapseMiconductorsforpowerelectronics：Anewvaluation［J］．JournalofElectronicMaterial，2OO3，32（6）：471－477．［4］ ...
Reflex Drive’s T Series trapezoidal electronic speed controllers (ESC) offer a state-of-the-art solution to drive BLDC motors – and are proudly made in India based on Infineon's OptiMOS™ 5 power MOSFET & 600 V high-side and low-side gate driver IC.The trapezoidal ESCs are designed ...