MOSFET:金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管,是一种电压控制器件。MOSFET有两种类型,“p沟道”和“n沟道”,这两种类型都可以处于增强或耗尽模式,因此共有四种不同类型的MOSFET。 BJT(Bipolar Junction Transistor):双极性结型晶体管,俗称三极管,一种电流驱动器件,有PNP和NPN两种类型,广泛用作放大器...
首先硅MOSFET有体二极管，在氮化镓反向导通电流时又存在体二极管的反向恢复问题。
针对要求小型化、低功耗的5G和PD快充适配器等产品,仅凭目前主流半导体材料Si已无法满足需求,这使得包括GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor, 高电子迁移率晶体管)在内的新型功率半导体必不可少。与Si相比,GaN具有低导通电阻、高速开关等优异特性,在同样需要节能和小型化的应用中,它也可以满足一次电源(服务器、...
材料的应用也是一条升级之路,第三代半导体就是其中之一(宽禁带半导体-SiC,GaN(Gallium nitride)等) 用氮化镓做成的晶体管叫GaN FET(Field Effect Transistor)/GaN HEMT(High electron mobility transistor) 从1958年第一枚集成电路出世以来,si就是造芯片的主流材料。 目前90%以上的芯片都是由高纯度Si做的,经过60多...
水平式功率MOSFET結構 (Lateral Double-diffused MOSFET,簡稱LDMOS),通常被廣泛應用於矽基材的電晶體中;而本文重點氮化鎵高電子移動率電晶體(High Electron Mobility Transistor,簡稱HEMT)亦採用該類LDMOS的結構,示意圖如圖二。 圖二: GaN水平式HEMT結構示意圖 ...
1，因为有源钳位控制器的成熟。这种电路结构大大提高了磁利用率，从而可以大幅减小变压器的磁芯体积。2，...
垂直GaN器件如电流孔径垂直电子晶体管(CAVET)、沟槽MOS场效应晶体管(MOSFET)和鳍状场效应晶体管已被报道。氮化镓垂直晶体管中的固有p-i-n二极管作为自由旋转二极管(FWD),具有高导通电压。外部反并联肖特基势垒二极管(SBD)作为FWD会增加体积尺寸,并引入无意的寄生电容和电感。
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GaN devices, our smart ICeGaN® transistor can be operated with standard silicon gate drivers and does not require negative voltages for shutdown, hence removing the need for external, costly driving and clamping interfaces. Finally, a GaN power transistor that can be operated like a MOSFET. ...
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