对含有NVM的器件在进行高温数据保留(HTDR)、高温工作寿命(HTOL)和低温数据保留(LTDR)测试验证之前,应首先通过写入/擦除耐久性测试进行预处理(参见下图) AEC Q100-005 图1 通过图1可以看出,NVM高温测试前,要先进行3.1章节定义的写入擦除循环验证(005预处理),然后要分别进行高温数据保持HTDR和HTOL验证。 AEC Q-100...
AEC-Q100-004 集成电路闩锁效应测试 AEC-Q100-005 可写可擦除的永久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试 AEC-Q100-006 热电效应引起的寄生闸极漏电流测试 AEC-Q100-007 故障仿真和测试等级 AEC-Q100-008 早期寿命失效率(ELFR) AEC-Q100-009 电分配的评估 AEC-Q100-010 锡球剪切测试 AEC-Q100-011 带电...
2.4 AEC-Q100-005-Rev-D1: Non-Volatile Memory Program/Erase Endurance,Data Retention,and Operational Life Test非易失性存储器程序/擦除耐久性,数据保留和操作寿命测试 2.4.1 程序/擦除耐久性测试(Endurance Test)的目的是评估非易失性存储器NVM在连续多次数据重写(编程/擦除循环)后的性能稳定性。 测试方法...
对含有NVM的器件在进行高温数据保留(HTDR)、高温工作寿命(HTOL)和低温数据保留(LTDR)测试验证之前,应首先通过写入/擦除耐久性测试进行预处理(参见下图) AEC Q100-005 图1 通过图1可以看出,NVM高温测试前,要先进行3.1章节定义的写入擦除循环验证(005预处理),然后要分别进行高温数据保持HTDR和HTOL验证。 AEC Q-100...
也就是说对于带有非易失性存储器的器件,还是要按照005文件进行预处理,我们稍后解读005文件。但是这种器件可以用B3项(EDR)验证来代替A6(HTSL),所以可以根据实际情况选择。 HTSL不需要给产品上电,不需要制作电路板; PTC的样品需求数量仅为45颗来自同一个Lot就可以;...
AEC-Q100标准解读之AEC Q005 Lead (Pb) Free (LF)Lead (Pb) Free (LF) 参考标准: AEC Q005; 目的:验证器件引脚电镀完整性(锡须生长、可焊性、耐焊接性); 失效机制:材料或工艺的缺陷; 试验通过判断依据:>95% lead coverage ; 实验室能力范围:能满足芯片的LF验证需求;...
1. 非易失性存储耐久试验(数据保持)(EDR-HTDR) 1.1 测试信息 样品数量:每批80颗,3批次;共240颗待测芯片(实验前样品已通过高低温Erase Endurance Cycling Test) 参考方法:AEC-Q100-005 测试温度:Ta = +105℃ 测试时间:1000小时 测试确认:芯片功能/性能测试(试验前后在室温、高温分别进行电测。) ...
表格中的信息给出，HTOL的分类是B1，Notes中包含了H、P、B、D、G、K也就是说要求密封器件、塑封器件、要求BGA器件、破坏性测试、承认通用数据、使用AEC-Q100-005文件中的方法来对独立非易失性存储器集成电路或带有非易失性存储器模块的集成电路进行预处理。需求的样品数量是每批次77颗样品，要求来自3个批次；接...
5. AEC-Q100-005:基于湿度的可靠性试验。 针对汽车电子器件可能面临的潮湿环境,制定了相关试验方法。通过将器件置于高湿度环境中,如85℃、85%相对湿度的条件下,持续一定时间,考察器件的防潮性能。研究表明,长时间处于这种高湿度环境下,器件可能会出现引脚腐蚀、内部电路短路等失效情况,此子标准有助于筛选出防潮性能良...
Q100-005:非易失性存储器编程/擦除耐久性、数据保留和工作寿命测试 Q100-007: 故障模拟和测试分级 Q100-008:早期寿命失败率 Q100-009:配电评估 Q100-010: 焊球剪切试验 Q100-011: 带电器件模型 (CDM) 静电放电测试(新) Q100-012: 用于 12V 系统的智能功率器件的短路可靠性特性 ...