AEC-Q100-002 人体模式静电放电测试 AEC-Q100-003 机械模式静电放电测试 AEC-Q100-004 集成电路闩锁效应测试 AEC-Q100-005 可写可擦除的永久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试 AEC-Q100-006 热电效应引起的寄生闸极漏电流测试 AEC-Q100-007 故障仿真和测试等级 AEC-Q100-008 早期寿命失效率(ELFR) AEC-...
表格中的信息给出，HTOL的分类是B1，Notes中包含了H、P、B、D、G、K也就是说要求密封器件、塑封器件、要求BGA器件、破坏性测试、承认通用数据、使用AEC-Q100-005文件中的方法来对独立非易失性存储器集成电路或带有非易失性存储器模块的集成电路进行预处理。需求的样品数量是每批次77颗样品，要求来自3个批次；接...
表格中的信息给出,ELFR的分类是B3,Notes中包含了H、P、B、D、G、K也就是说要求密封器件、塑封器件、要求BGA器件、破坏性测试、承认通用数据、使用AEC-Q100-005文件中的方法来对独立非易失性存储器集成电路或带有非易失性存储器模块的集成电路进行预处理(记得是005的预处理,不是完成整个005流程)。 需求的样品数...
AEC-Q100标准解读之AEC Q005 Lead (Pb) Free (LF)Lead (Pb) Free (LF) 参考标准: AEC Q005; 目的:验证器件引脚电镀完整性(锡须生长、可焊性、耐焊接性); 失效机制:材料或工艺的缺陷; 试验通过判断依据:>95% lead coverage ; 实验室能力范围:能满足芯片的LF验证需求;...
AEC-Q100-001 邦线切应力测试 AEC-Q100-002 人体模式静电放电测试 AEC-Q100-004 集成电路闩锁效应测试 AEC-Q100-005 可写可擦除的永久性记忆的耐久性数据保持及工作寿命的测试 AEC-Q100-007 故障仿真和测试等级 AEC-Q100-008 早期寿命失效率(ELFR)
AEC-Q100标准解读之NVM Endurance, Data Retention, and Operational Life(EDR) NVM Endurance, Data Retention, and Operational Life(EDR) 参考标准: AEC Q100-005; 目的:评估非挥发性memory器件在多次读写算后的持久性能,在重复读写之后加速非挥发性memory器件存储节点的电荷损失; 失效机制:电子迁移,氧化层破裂...
AEC - Q100-005 - REV-D October 11. 2011 Component Technical Committee Automotive Electronics Council Page 1 of 10 METHOD - 005 NON-VOLATILE MEMORY PROGRAM/ERASE ENDURANCE, DATA RETENTION, AND OPERATING LIFE TEST Text enhancements and differences made since the last revision of this doc...
答:AEC-Q100 是一个顶级标准,然后“爆发”为许多具体、定义明确、承诺的子标准: Q100-001: 引线键合剪切试验 Q100-002: 人体模型静电放电测试 Q100-004: IC 闩锁效应测试 Q100-005:非易失性存储器编程/擦除耐久性、数据保留和工作寿命测试 Q100-007: 故障模拟和测试分级 ...
AEC-Q100-002 人体模式静电放电测试 AEC-Q100-004 集成电路闩锁效应测试 AEC-Q100-005 可写可擦除的永久性记忆的耐久性数据保持及工作寿命的测试 AEC-Q100-007 故障仿真和测试等级 AEC-Q100-008 早期寿命失效率(ELFR) AEC-Q100-009 电分配的评估 AEC-Q100-010 锡球剪切测试 ...
AEC-Q100-005-REV-D October11,2011 ComponentTechnicalCommittee AutomotiveElectronicsCouncil ATTACHMENT5 AEC-Q100-005-REV-D NON-VOLATILEMEMORYPROGRAM/ERASEENDURANCE, DATARETENTION,ANDOPERATINGLIFETEST AEC-Q100-005-REV-D October11,2011 ComponentTechnicalCommittee ...