简单的可以表示为:I = n*S, S称为灵敏度因子(有经验标准常数可查,但有时需校正)。 对于对某一固体试样中两个元素i和j, 如已知它们的灵敏度因子Si和Sj,并测出各自特定谱线强度Ii和Ij,则它们的原子浓度之比为:ni:nj=(Ii/Si):(Ij/Sj),因此可以求得相对含量。 B. 为什么XPS是一种半定量分析手段? 鉴于...
对CeO2/Si 材料的氧元素进行XPS 深度分析,O1s谱峰随着刻蚀时间的变化如下图所 示。O1s主峰位于530.5 eV 附近,而随着氩离子深度刻蚀的进行,O1s向着结合能(BE)高的方向移动至 531.2 eV,此峰值应为Ce2O3中O元素的结合能,这与上图刻蚀后分析...
1#样品表面各化学态对应元素相对原子百分含量如表1所示。 4.2 2#样品表面元素含量分析 对样品代表性点进行数据采集,发现样品表面除了C元素以外还含有大量的O元素,以及微量的S、N、Na、Si、Cl元素。为了对2#样品C元素进行更加准确的化学态表征,采用1#样品碳元素作参考,进而判断出2#样品除了sp2杂化碳外还含有C-C...
（1）Si 片上镍铬合金经热处理后的深度分布 图7 从图7可得到如下结论：表面发生氧化；Cr在表面有偏析；Ni，Cr都已扩散到Si内。（2）识別包装材料上污染物 图8 无污染的焊盘（左）和有污染的焊盘 （右）图9 使用光学或二次电子图像（SXI）来选择污染区和无污染区的分析区域。图10 XPS光谱图 微区XPS光谱（...
对样品代表性点进行数据采集,发现样品表面除了C元素以外还含有大量的O元素,以及微量的S、N、Na、Si、Cl元素。为了对2#样品C元素进行更加准确的化学态表征,采用1#样品碳元素作参考,进而判断出2#样品除了sp2杂化碳外还含有C-C、C-O以及C=O化学态的碳(如图3所示)。
对于Si2p/O1s/N1s灵敏度因子分别为0.368/ 0.733/ 0.499,根据上面定量原理,利用MultiPak很容易获得Si/O/N原子百分比。 图18 O1s背底扣除和峰选定 图19 Si/O/N定量结果 对于某些特定样品,不同元素主谱(最强峰)之间会存在相互干扰或重叠,这个时候可以采集没有干扰得次强峰,...
Si晶圆衬底上生长着一层SiO2氧化层薄膜,通过倾斜样品台改变光电子起飞角的大小,可以得到薄膜表面到几纳米层厚的成分变化情况。如图4中(a)所示,当光电子起飞角为10°时,Si 2p谱图主峰位于高结合端,是来自于氧化物层SiO2;随着起飞角的增大,Si 2p谱图中位于低结合端的谱峰越来越明显,也就是衬底Si单质信号越来越...
对于对某一固体试样中两个元素i和j, 如已知它们的灵敏度因子Si和Sj,并测出各自特定谱线强度Ii和Ij,则它们的原子浓度之比为:ni:nj=(Ii/Si):(Ij/Sj),因此可以求得相对含量。 B. 为什么XPS是一种半定量分析手段? 鉴于光电子的强度不仅与原子的浓度有关,还与光电子的平均自由程、样品的表面光洁度,元素所处...
存在Ti, O, Si, C; Si的来源,可能:涂层太薄(<10nm)或者热处理使基体扩散→涂层变薄; C的来源,可能:溶胶或者谱仪油污染碳。 2.表面窄区谱分析 原理和全元素分析差不多,只是谱图更精细。 3.离子价态分析 图5 铜红玻璃、化学试剂CuO和CuCl
(1)Si 片上镍铬合金经热处理后的深度分布 图7 从图7可得到如下结论:表面发生氧化;Cr在表面有偏析;Ni,Cr都已扩散到Si内。 (2)识別包装材料上污染物 图8 无污染的焊盘(左)和有污染的焊盘 (右) 图9 使用光学或二次电子图像(SXI)来选择污染区和无污染区的分析区域。