我在做二氧化硅的XPS分析，想分析出二氧化硅表面羟基是否存在，但只知道二氧化硅的Si-O结合能，不知道Si-...
图2是放置不同数量硅块制备的TiAlCrN涂层的XPS (Si2p)。在结合能101.66—102.06 eV范围内的峰为Si3N4,其附近的峰与已有文献中发现的Si-N和Si-N-O接近。由表1可见,放置不同数量硅块引起的TiAlCrN涂层中硅含量变化中是明显的,随硅...
图3、a) XRD图谱,b)拉曼光谱,c)TGA图谱,d)N2吸附-解吸等温线和e)的孔径分布曲线si@rgo@C-SD和si@rgo@C-SD-AlO,f)LiPF6液滴在si@rgo@C-SD-AlO。 图4、a)Si@rGO@C-SD 和 Si@rGO@C-SD-AlO 的 XPS 全光谱。b-f)Si@...
键合晶片脱键后，再次对表面进行XPS测试，如图11(j)-11(l)所示，相对于表面Si的沉积，O元素的信号峰进一步加强，说明在大气环境键合过程中以及随后的键合强度和XPS测试中，Si原子层表面被进一步氧化。同时，在LiNbO3和GaAs侧均检测到Si和O元素信号峰，LiNbO3/GaAs键合对的高键合强度主要是通过Si原子层实现的。此外...
采用XPS分析不同电解质中所形成SEI的组成差异。如图3A所示,由C1s谱知,CarEl-SEI和GlyEl-SEI在290.7~291.7 eV峰值处(对应碳酸盐化合物)的差异最明显,110次循环后GenII-SEI中该峰的强度明显高于GlyEl-SEI;且GlyEl-SEI中包含更高浓度的醚基团(C-O)(287.2-289.8 eV 处的C 1s峰强度更高)。图3B详细介绍了C 1s...
GaN NWs不具有Cu 2p3/2XPS谱,Cu/GaN/Si具有较强的Cu−Cu键和较小的Cu−OH键。Cu/GaN/Si的Cu−S峰较强,而Cu−Cu峰相对较小。Cu 2p3/2XPS光谱中Cu-Cu键和Cu-S键共存,表明Cu NPs为Cu和Cu相的轻微还原形式。GaN/Si和Cu/GaN/Si在XPS中没有S 2p,但CuS/GaN/Si有明显的S−Cu键,这说明了...
GaN NWs不具有Cu 2p3/2XPS谱,Cu/GaN/Si具有较强的Cu−Cu键和较小的Cu−OH键。Cu/GaN/Si的Cu−S峰较强,而Cu−Cu峰相对较小。Cu 2p3/2XPS光谱中Cu-Cu键和Cu-S键共存,表明Cu NPs为Cu和Cu相的轻微还原形式。GaN/Si和Cu/GaN/Si在XPS中没有S 2p,但CuS/GaN/Si有明显的S−Cu键,这说明了...
Si/Si低温键合界面的XPS研究 24人查看 热门文献 相似文献 参考文献Si/Si直接键合界面的FTIR和XPS研究 通过新颖的键合方法实现了Si/Si直接键合.采用傅里叶红外透射谱(FTIR)对Si/Si键合界面进行了研究,结果表明,高温退火样品的界面组分为Si和O,无OH和H网络存在.X射线光电... ...
已经通过包括x射线光电子能谱(XPS)、红外区衰减全反射光谱(ATR-IR)和热解吸光谱(TDS)的方法研究了天然硅氧化物。然而,这些报告仍然局限于生长动力学或化学结构因素,例如低氧化物(SiO x=1-3)、硅氢化物(-SiH,y=1-3)或硅羟基(—SiOH)的量。尽管天然氧化物通常被视为薄而均匀的薄膜,但我们实际上发现它们是...
对这个东西测试了XPS，分峰图中出现Si-O-C的峰，原本以为是PDMS的-OH与淀粉的活性-OH脱水反应 但是...