结合XRD和XPS结果分析,通过简单混入Li4.4Si的方式制备Li4.4Si-nSi负极,Li4.4Si与nSi负极在浆料涂覆过程中不可避免存在一定的相互作用,但Li4.4Si与nSi反应程度相对较弱,一方面可缓解不可逆Li-Si-O键生成导致的Li+损失,同时在后续长循环过...
与XPS结果类似,无论使用何种电解质,正极光谱都表现出相似的特征,而Si负极则表现出明显的峰。这样的观察表明,负极侧的添加剂分解更严重,对整体电池性能的影响更大。在原始Si电极上,在1722 cm-1和1355 cm-1处观察到的两个峰可分别归因于来自聚酰亚胺粘合剂的C=O和C-N键,这与XPS结果一致(图6)。而对于 循环样...
Si基体上双层Ti—O薄膜的XPS和AES分 析研究 薄膜上再沉积同质薄膜.在膜表层一定厚度内可得到 具有化学配比的Ti02薄膜;氩离子的轰击使钛及碳氧化物内迁ASi 基体,而Si外迁到膜内并 造成多价形式的Ti氧化物共存,TiO2在这些Ti氧化物中所占的比例 髓沉积膜深度呈现先逐渐减 ...
键合晶片脱键后，再次对表面进行XPS测试，如图11(j)-11(l)所示，相对于表面Si的沉积，O元素的信号峰进一步加强，说明在大气环境键合过程中以及随后的键合强度和XPS测试中，Si原子层表面被进一步氧化。同时，在LiNbO3和GaAs侧均检测到Si和O元素信号峰，LiNbO3/GaAs键合对的高键合强度主要是通过Si原子层实现的。此外...
特别是最后一步，表面处理不仅强烈影响生长速率，而且强烈影响整体氧化物和Si/Sio2界面的性质，通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄氧化物层的结构质量进行了比较分析，并与不同的清洗程序所产生的影响有关，这些都是基于标准的RCA方法加上高频溶液蚀刻法，所得结果表明，红外技术能够理解所涉及的现象和完成XPS分析。
清洗步骤顺序,特别是最后一步,表面处理不仅强烈影响生长速率,而且强烈影响整体氧化物和Si/Sio2界面的性质,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)对薄氧化物层的结构质量进行了比较分析,并与不同的清洗程序所产生的影响有关,这些都是基于标准的RCA方法加上高频溶液蚀刻法,所得结果表明,红外技术能够理解所涉及的现象和完成XPS...
XPS and RBS investigations of Si–Er–O interactions on a Si(1 0 0) surface. S. Scalesea,S. Mirabellab,A. Terrasib. Applied Surface Science . 2003S. Scalesea,S. Mirabellab,A. Terrasib.XPS and RBS investigations of Si–Er–O interactions on a Si(1 0 0) surface. Applied Surface ...
图2是放置不同数量硅块制备的TiAlCrN涂层的XPS (Si2p)。在结合能101.66—102.06 eV范围内的峰为Si3N4,其附近的峰与已有文献中发现的Si-N和Si-N-O接近。由表1可见,放置不同数量硅块引起的TiAlCrN涂层中硅含量变化中是明显的,随硅...
此外，研究团队也基于X射线光电子能谱（XPS）及紫外光电子能谱（UPS）对Si掺杂Ga2O3薄膜表面电子性质进行了研究，发现β-Ga2O3表面具有超过0.35 eV向上的能带弯曲，阻碍了欧姆接触的形成。另一方面，Ga2O3薄膜表面约为3.3 eV的低功函数使其有望成为深紫外LED中的高效电子注入材料。 图3. (a) Si:Ga2O3电极...
图3(c)为G/Si/SiOx-2纳米复合材料的C 1s的XPS谱图。如图所示,G/Si/SiOx-2的C 1s的XPS拟合谱图可以被分为四个分峰,对应于不同的官能团的碳原子:sp2杂化碳(284.6 eV),sp3杂化碳饱和碳(285.2 eV),C—O(285.7 eV)和C=O(286.2 eV)。图3(d)为G/Si/SiOx-2纳米复合材料的拉曼谱图。如图所示,G/Si...