对这个东西测试了XPS，分峰图中出现Si-O-C的峰，原本以为是PDMS的-OH与淀粉的活性-OH脱水反应 但是...
本文采用 XPS 技术,对制备的无定型 Si-C-O-N 涂层进行了相关组成元素和结合状态的分析,为后续的研究工作奠定基础。1 实验Si-C-O-N 涂层采用上海有线电厂生产的型号为JG-PF-3B 射频磁控溅射仪来沉积。衬底和靶材分别采用市售的单面抛光的 RB SiC 陶瓷和自制的无压烧结的SiC 陶瓷, 尺寸分别为Ф38mm×3mm ...
表面状态结构与性能以聚硅氧烷为先驱体,采用浸渍裂解工艺制备出3D Cf/Si-O-C陶瓷基复合材料,研究了碳纤维表面状态对材料结构与性能的影响.本研究以热处理的方式改变纤维表面状态,并利用XPS对热处理前后纤维 表面状态进行了表征.结果表明:热处理能够降低纤维表面活性;纤维表面活性降低实现了复合材料中纤维-基体界面的...
通过硅氧碳键(Si-O-C)将两个内铵盐型碳菁染料在硅表面化学成膜,利用表面增强喇曼光谱(SERS)和X射线光电子能谱(XPS)确证 … d.wanfangdata.com.cn|基于13个网页 2. 聚硅氧烷聚醚 ...油、二甲基硅油、苯基硅油、疏水二氧化硅(白炭黑)、聚硅氧烷聚醚(-Si-O-C-)等。
此外，研究团队也基于X射线光电子能谱（XPS）及紫外光电子能谱（UPS）对Si掺杂Ga2O3薄膜表面电子性质进行了研究，发现β-Ga2O3表面具有超过0.35 eV向上的能带弯曲，阻碍了欧姆接触的形成。另一方面，Ga2O3薄膜表面约为3.3 eV的低功函数使其有望成为深紫外LED中的高效电子注入材料。 图3. (a) Si:Ga2O3电极...
我想请教一下XPS分峰拟合的问题,谢谢!主要是审稿人问Si 2p拟合峰的问题: 审稿人原话“The fitted features for Si 2p are not appropriate, even if one forgets that the spin-orbit coupling has to be included and that the resulting peaks for each type of surface species would then not be symmetric...
与XPS结果类似,无论使用何种电解质,正极光谱都表现出相似的特征,而Si负极则表现出明显的峰。这样的观察表明,负极侧的添加剂分解更严重,对整体电池性能的影响更大。在原始Si电极上,在1722 cm-1和1355 cm-1处观察到的两个峰可分别...
此外,研究团队也基于X射线光电子能谱(XPS)及紫外光电子能谱(UPS)对Si掺杂Ga2O3薄膜表面电子性质进行了研究,发现β-Ga2O3表面具有超过0.35 eV向上的能带弯曲,阻碍了欧姆接触的形成。另一方面,Ga2O3薄膜表面约为3.3 eV的低功函数使其有望成为深紫外LED中的高效电子注入材料。
Fig 1. (a) Fe3Si/SiC/SiO2 复合材料的合成过程示意图。所有样品的 XRD (b) 图样、(c) S-3 的 XPS 勘测光谱和 S-3 的高分辨率(d) Fe2p、(e) O1s、(f) C1s 和 (g) Si2p。 Fig 2. 所有复合材料的低倍(a-d)...